Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 76 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

76
Чтобы показать возможность измерения слабых полей при помощи
этих датчиков и оценить точность прибора, приведём результаты измерения
магнитного поля Земли. Зависимость среднего значения (линия 1) ЭДС Хол-
ла в поле Земли от управляющего тока приводится на рис.2.24.
Рис. 2.24
Там же показаны средние абсолютная погрешность ΔU
H
(кривая 2) и
относительная (ΔU
H
/ U
H
) погрешность измерений (кривая 3). Видно, что с
увеличением управляющего тока ΔU
H
быстро растёт. Ошибка измерения
при малых токах определяется точностью измерительных приборов, а при
больших токах – неравномерным разогревом датчика. При I = 40 мА (кри-
       Чтобы показать возможность измерения слабых полей при помощи
этих датчиков и оценить точность прибора, приведём результаты измерения
магнитного поля Земли. Зависимость среднего значения (линия 1) ЭДС Хол-
ла в поле Земли от управляющего тока приводится на рис.2.24.




                                     Рис. 2.24

       Там же показаны средние абсолютная погрешность ΔU H (кривая 2) и
относительная (ΔU H / U H ) погрешность измерений (кривая 3). Видно, что с
увеличением управляющего тока ΔU H быстро растёт. Ошибка измерения
при малых токах определяется точностью измерительных приборов, а при
больших токах – неравномерным разогревом датчика. При I = 40 мА (кри-

                                                                         76

Страницы