Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 84 стр.

           j см ∂D / ∂t ε 0 εω
                =      =       ,                                      (3.14)
           j пр   σE      σ

          где      D - вектор электрического смещения;

          ε - диэлектрическая проницаемость полупроводника;

          ε 0 - электрическая постоянная.

          Для Ge ε = 16 , а σ изменяется в довольно широких пределах в зави-
симости от концентрации и подвижности основных и примесных носителей
заряда.

          Для примера, приняв σ = 10 −2 Ом-1м-1, получим

          iсм
          =   0,89 ⋅ 10−11 f
          iпр
                                                                       (3.15)

          Отсюда следует, что проводимость σ = 0,01 Ом-1м-1 настолько велика,
что токами смещения можно пренебречь вплоть до f = 1010Гц.
          Таким образом, на СВЧ следует применять полупроводники с повы-
шенной проводимостью, хотя это и приводит к увеличению собственного
потребления мощности датчиком.
          На СВЧ электромагнитное поле проникает лишь в тонкий поверх-
ностный слой полупроводникового образца. Это явление известно под
названием поверхностного эффекта (скин-эффекта) и оценивается так назы-
ваемой глубиной проникновения. Это глубина, на которой поле уменьшает-
ся до 1/e доли своей величины на поверхности (здесь e -- основание нату-
ральных логарифмов). Выражение для эквивалентной глубины проникнове-
ния δ определяется путем решения уравнения Максвелла для полупровод-
ника при условии, что токи смещения на данной частоте пренебрежимо ма-
лы по сравнению с токами проводимости. Поэтому можно воспользоваться
выражением, определяющим эквивалентную глубину проникновения δ для
плоских образцов с целью оценки величины этого параметра для указанного
образца Ge на f = 1010 Гц .

                                                                         84