Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 85 стр.

UptoLike

85
µωσµ
δ
0
2
=
. (3.16)
Для Ge
1=
µ
, отсюда
м
4
105
=
δ
. Для увеличения глубины проник-
новения необходимо применять полупроводники с меньшей проводимо-
стью, а чтобы при данной величине удельной проводимости
σ
полупровод-
никового образца не появлялось заметной частотной зависимости до часто-
ты 10
10
Гц, обусловленной поверхностным эффектом, датчики Холла должны
представлять собой пластинку толщиной менее
4
5 10 м
.
3.4 Особенности использования эффекта Холла в диапа-
зоне СВЧ.
К особенностям применения эффекта Холла в полупроводниках на
СВЧ следует отнести дифракцию электромагнитных волн на датчиках ЭДС
Холла, скин-эффект и процессы релаксации носителей заряда. Вопросы ди-
фракции электромагнитных волн на датчиках Холла мало исследованы в ли-
тературе; лишь в некоторых работах, H.M.Barlow, S.Kataoka [20], проведено
качественное рассмотрение этих процессов и поэтому подробное исследова-
ние этого явления будет приведено ниже. В связи с этим в этом параграфе
целесообразно рассмотреть лишь вопросы скин-эффекта и релаксации носи-
телей заряда.
Под скин-эффектом обычно понимают сосредоточение почти всего
тока высокой частоты, протекающего по проводнику, в очень тонком по-
верхностном слое. Этот эффект впервые наблюдался Релеем в 1886 г.
Остановимся на рассмотрении вопроса о влиянии скин-эффекта на
характеристики датчиков ЭДС Холла. Как будет отмечено ниже, одним из
параметров датчика на постоянном токе является его толщина. При работе
на переменном токе в области высоких и сверхвысоких частот в том случае,
если толщина датчика больше удвоенной толщины скин-слоя, эффективная
толщина датчика, очевидно, будет равна толщине скин-слоя. Кроме того,
датчик Холла будет эквивалентен системе из двух датчиков, расположенных
                2
       δ=             .                                               (3.16)
            ωσµ 0 µ

       Для Ge µ = 1 , отсюда δ = 5 ⋅ 10 −4 м . Для увеличения глубины проник-
новения необходимо применять полупроводники с меньшей проводимо-
стью, а чтобы при данной величине удельной проводимости σ полупровод-
никового образца не появлялось заметной частотной зависимости до часто-
ты 1010Гц, обусловленной поверхностным эффектом, датчики Холла должны
                                                  −4
представлять собой пластинку толщиной менее 5 ⋅ 10 м .

      3.4 Особенности использования эффекта Холла в диапа-
зоне СВЧ.
      К особенностям применения эффекта Холла в полупроводниках на
СВЧ следует отнести дифракцию электромагнитных волн на датчиках ЭДС
Холла, скин-эффект и процессы релаксации носителей заряда. Вопросы ди-
фракции электромагнитных волн на датчиках Холла мало исследованы в ли-
тературе; лишь в некоторых работах, H.M.Barlow, S.Kataoka [20], проведено
качественное рассмотрение этих процессов и поэтому подробное исследова-
ние этого явления будет приведено ниже. В связи с этим в этом параграфе
целесообразно рассмотреть лишь вопросы скин-эффекта и релаксации носи-
телей заряда.

       Под скин-эффектом обычно понимают сосредоточение почти всего
тока высокой частоты, протекающего по проводнику, в очень тонком по-
верхностном слое. Этот эффект впервые наблюдался Релеем в 1886 г.

       Остановимся на рассмотрении вопроса о влиянии скин-эффекта на
характеристики датчиков ЭДС Холла. Как будет отмечено ниже, одним из
параметров датчика на постоянном токе является его толщина. При работе
на переменном токе в области высоких и сверхвысоких частот в том случае,
если толщина датчика больше удвоенной толщины скин-слоя, эффективная
толщина датчика, очевидно, будет равна толщине скин-слоя. Кроме того,
датчик Холла будет эквивалентен системе из двух датчиков, расположенных


                                                                         85