Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 86 стр.

параллельно друг другу и включенных параллельно (две боковые поверхно-
сти датчика). Кроме того, скин-эффект в датчиках Холла необходимо учи-
тывать при расчете температурного режима датчиков, так как мощность,
рассеиваемая датчиком Холла, выделяется лишь в объеме скин-слоя и при
работе в импульсном режиме объем скин-слоя датчика Холла может пере-
греваться, если отвод тепла от него в окружающую среду и внутрь датчика
будет недостаточен.

       Рассмотрим теперь вопрос о времени релаксации носителей заряда в
датчике Холла, или, что то же самое, об инерционности датчиков Холла, так
как время релаксации носителей заряда – это время, за которое ток через
датчик достигает стабильного значения после выключения внешнего поля.
Этот вопрос может быть исследован на основе элементарной теории элек-
тронной проводимости металлов, называемой моделью свободных электро-
нов. Если средняя скорость электронов Vd , то уравнение движения электро-
нов имеет вид (здесь мы не учитываем влияние магнитного поля):
                       
       m ⋅ dVd     mVd
               = eE −                                                (3.17)
          dt          τ

       где    m – масса электрона;

       e – элементарный заряд.

       Если концентрация электронов равна n , то плотность тока:
       
       j = neVd                                                      (3.18)

       Из этих уравнений можно получить для плотности тока:
                
        dj ne 2 E j
           =     − .                                                 (3.19)
        dt   m    τ

       Отсюда очень просто выражается время релаксации через параметры
среды на постоянном токе:




                                                                          86