Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

18
EffectiveIntrinsicDensity(Slotboom)
Mobility(DopingDependence HighFieldSaturation(GradQuasiFermi)
NormalElectricField)
Recombination( SRH(DopingDependence ))
Temperature = 300}
* Концентрация зарядов на границе раздела оксид-кремний:
Physics(MaterialInterface="Oxide/Silicon") {charge(surfconc=1e11)}
* Математические методы решения:
Math {Extrapolate Iterations = 15 RelerrControl Derivatives
NewDiscretization}
* Рассчитываемые параметры:
Plot {AcceptorConcentration DonorConcentration DopingConcentration
TotalConcentration eDensity hDensity eMobility hMobility BuiltinPotential
ElectricField ElectrostaticPotential SpaceCharge SRHRecombination
TotalRecombination eCurrentDensity hCurrentDensity TotalCurrentDensity
eDriftVelocity hDriftVelocity eGradQuasiFermi/Vector
hGradQuasiFermi/Vector eQuasiFermiPotential hQuasiFermiPotential}
* Задание и решение системы уравнений:
Solve {
* Начальное решение:
Poisson
Coupled { Poisson Electron Hole }
* Подъем напряжения на стоке до необходимого уровня:
QuasiStationary (InitialStep = 0.5 MaxStep = 0.5 MinStep = 1e-3
Goal { name = "drain" voltage = 10 })
{ Coupled {Hole Electron Poisson}}
* Расчет передаточной характеристики при полученном напряжении на
стоке:
QuasiStationary (InitialStep = 0.05 MaxStep = 0.05 MinStep = 1e-7
Goal { name = "gate" voltage = 7 })
{Coupled {Hole Electron Poisson}}}
Визуализация
рассчитанной передаточной характеристики, а также
определение по ней порогового напряжения и крутизны осуществляется
с помощью программы INSPECT, работающей под управлением
следующего командного файла:
#----------------------------------------------------------------------#
gr_setTitleAttr "IdVg"
#----------------------------------------------------------------------#
## Загрузка файлов с результатами расчета DESSIS:
set dset @plot@
set data [file rootname $dset] 
                                              18


      EffectiveIntrinsicDensity(Slotboom)
Mobility(DopingDependence HighFieldSaturation(GradQuasiFermi)
               NormalElectricField)
      Recombination( SRH(DopingDependence ))
      Temperature = 300}
* Концентрация зарядов на границе раздела оксид-кремний:
Physics(MaterialInterface="Oxide/Silicon") {charge(surfconc=1e11)}
* Математические методы решения:
Math {Extrapolate Iterations = 15               RelerrControl     Derivatives
NewDiscretization}
* Рассчитываемые параметры:
Plot {AcceptorConcentration DonorConcentration DopingConcentration
TotalConcentration eDensity hDensity eMobility hMobility BuiltinPotential
ElectricField    ElectrostaticPotential    SpaceCharge     SRHRecombination
TotalRecombination eCurrentDensity hCurrentDensity TotalCurrentDensity
eDriftVelocity              hDriftVelocity           eGradQuasiFermi/Vector
hGradQuasiFermi/Vector eQuasiFermiPotential hQuasiFermiPotential}
* Задание и решение системы уравнений:
Solve {
      * Начальное решение:
Poisson
      Coupled { Poisson Electron Hole }
  * Подъем напряжения на стоке до необходимого уровня:
  QuasiStationary (InitialStep = 0.5 MaxStep = 0.5 MinStep = 1e-3
      Goal { name = "drain" voltage = 10 })
      { Coupled {Hole Electron Poisson}}
  * Расчет передаточной характеристики при полученном напряжении на
стоке:
   QuasiStationary (InitialStep = 0.05 MaxStep = 0.05 MinStep = 1e-7
      Goal { name = "gate" voltage = 7 })
      {Coupled {Hole Electron Poisson}}}

       Визуализация рассчитанной передаточной характеристики, а также
определение по ней порогового напряжения и крутизны осуществляется
с   помощью        программы         INSPECT,       работающей         под   управлением
следующего командного файла:
#----------------------------------------------------------------------#
gr_setTitleAttr "IdVg"
#----------------------------------------------------------------------#
## Загрузка файлов с результатами расчета DESSIS:
set dset @plot@
set data [file rootname $dset]

Страницы