Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 16 стр.

                                   16


Title "n-MOS"
# Определение областей с изменяемой сеткой:
Definitions {
# Вся структура по умолчанию:
   Refinement "Default Region"
   {MaxElementSize = (2.0 2.0) MinElementSize = (0.5 0.5)
    RefineFunction = MaxTransDiff(Variable = "DopingConcentration", Value
= 3.0)}
       # Активная область:
   Refinement "Active region"
   {MaxElementSize = (0.5 0.5) MinElementSize = (0.1 0.1)
    RefineFunction = MaxTransDiff(Variable = "DopingConcentration", Value
= 1.0)}
       # Подзатворная область:
   Refinement "Under gate"
   { MaxElementSize = (0.2 0.2)    MinElementSize = (0.02 0.02)
RefineFunction = MaxTransDiff(Variable = "DopingConcentration", Value =
1.0)}
      # Канальная область и подзатворный окисел:
   Refinement "Channel"
   {MaxElementSize = (0.02 0.02) MinElementSize = (0.01 0.01)}
   # Обрабатываемая структура:
   SubMesh "SubMesh_0"
   {Geofile = "n@previous@_dio.grd"
    Datafile = "n@previous@_dio.dat"}}
# Задание геометрического положения областей:
Placements {
   Refinement "Default Region"
   { Reference = "Default Region"}
   Refinement "Active region"
   { Reference = "Active region"
    RefineWindow = rectangle [(-@<3.5+L_gate/2.0>@ 0.0),
                         (@<3.5+L_gate/2.0>@ 3.0)]}
   Refinement "Under gate"
   { Reference = "Under gate"
   RefineWindow = rectangle[(-@<0.5+L_gate/2.0>@ 0.0),
                             (@<0.5+L_gate/2.0>@ 1.0)]}
   Refinement "Channel"
   { Reference = "Channel"
    RefineWindow = rectangle[(-@<0.06+L_gate/2.0>@ -0.04),
                         (@<0.06+L_gate/2.0>@ 0.04)]}
    Submesh "SubMesh_0"
 { Reference = "SubMesh_0"}}