Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 14 стр.

                                     14


comment('Nitride spacer')
! Осаждение защитного слоя из нитрида кремния:
deposit(material = si3n4, thickness = 700nm)
! Анизотропное травление нитрида для формирования нитридного
спейсера:
etching(material = si3n4, stop= oxgas, rate(anisotropic = 100), over = 10)
! Имплантация фосфора:
implant(element = P, dose = 1000/1.6e-13, energy = 50keV, tilt = 0)
comment('Diffuse of phosphorus')
! Диффузия фосфора:
diffusion(time = 3, temperature = 1000, atmosphere= O2)
comment('Contact windows')
! Маска для вытравливания контактных окон:
mask(material l= resist, thickness = 1000nm, xleft = 0.15+@L_gate@/2,
xright = 1.85+@L_gate@/2)
! Травление оксида кремния:
etching(material = ox, remove = 200nm, rate(anisotropic = 100))
etching(material = resist)
comment('Deposit Al')
! Осаждение алюминия:
deposit(material = al, thickness =1000nm)
comment('Contacts')
! Маска для формирования контактов:
mask(materiall = resist, thickness = 1000nm, xleft = 0.0, xright =
 0.35+@L_gate@/2)
mask(material = resist, thickness = 1000nm, xleft = 1.7+@L_gate@/2,
xright = 3.5+@L_gate@/2)
! Травление алюминия:
etch(material = al, remove = 1600nm, rate(anisotropic = 100, isotropic = 10))
etch(material = resist)
comment('Full device structure')
! Зеркальное отражение относительно вертикальной оси х = 0 для
получения полной структуры МОП транзистора:
Reflect(Reflect = 0.0)
Comment('Saving final structure')
! Сохранение одномерных профилей распределения примесей:
1d(file = n@node@_x_channel, spe(netactive), ysect(-0.05), fac = -1)
1d(file = n@node@_y_channel, spe(netactive), xsect(0.0), fac = -1)
! Сохранение готовой структуры для последующего приборного
моделирования:
Save(File = 'n@node@', Type = mdraw, compress = off,
     Contacts( contact1(name='gate', 0.0, 1.5)
contact2(name = 'source', -(2.5+@L_gate@/2), 0.5)
       contact3(name= 'drain', 2.5+@L_gate@/2, 0.5)