Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

12
Рис. 9. Ионное легирование
структуры фосфором.
Рис. 10. Структура после разгонки
имплантированной примеси.
Созданы истоковая и стоковая области.
Рис. 11. Структура с осажденным
защитным слоем SiO
2
.
Рис. 12. Структура с вытравленными в
защитном слое контактными окнами.
Рис. 13. Готовая структура со сформированными контактами.
2.3. Создание физико-технологической модели
n-МОП транзистора с помощью программы DIOS
Используемый при создании физико-технологической модели n-
МОП транзистора командный файл для программы DIOS приведен ниже.
Топологические размеры вычисляются через параметр @L_gate@,
заданный в GENESISe. 
                                    12




                                       Рис. 10. Структура после разгонки
    Рис. 9. Ионное легирование           имплантированной примеси.
      структуры фосфором.            Созданы истоковая и стоковая области.




  Рис. 11. Структура с осажденным   Рис. 12. Структура с вытравленными в
        защитным слоем SiO2.         защитном слое контактными окнами.




        Рис. 13. Готовая структура со сформированными контактами.

        2.3. Создание физико-технологической модели
      n-МОП транзистора с помощью программы DIOS

     Используемый при создании физико-технологической           модели n-
МОП транзистора командный файл для программы DIOS приведен ниже.
Топологические   размеры    вычисляются     через   параметр   @L_gate@,
заданный   в GENESISe.

Страницы