Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 10 стр.

                                    10


      Для   создания   проекта   нужно   последовательно   добавить   все
необходимые программы. Первой добавляется программа DIOS для
получения физико-технологической модели транзистора. Для программы
DIOS нужно создать параметр L_gate со значениями 5,3,1 мкм. Тогда в
результате расчета будут получены 3 транзисторных структуры с длиной
канала соответственно 5,3,1 мкм. Далее добавляется программа MDRAW,
используемая для оптимизации расчетной сетки моделируемых структур.
Программу MDRAW необходимо настроить на использование командного
файла, созданного пользователем, а также на использование файла границ
от предыдущей программы, т. е. от DIOS. После этого добавляются 3 пары
программ DESSIS и INSPECT. В DESSIS рассчитываются определенные
электрофизические характеристики, которые затем с помощью INSPECT
отображаются в графическом виде. В первой паре DESSIS+INSPECT
рассчитывается передаточная характеристика транзисторной структуры, и
определяются пороговое напряжение и крутизна характеристики. Поро-
говое напряжение определяется двумя способами: построением касатель-
ной и по уровню тока стока 0.1 мкА. Во второй паре рассчитывается
семейство выходных стоковых характеристик при различных напряжениях
на затворе и определяется сопротивление сток-исток в открытом
состоянии в линейной области и в области насыщения. В третьей паре –
пробивное напряжение сток-исток методом построения ВАХ.
      Используемые     при   моделировании   командные     файлы   будут
рассмотрены ниже в соответствующих разделах.


               2.2. Алгоритм моделирования технологии
                     создания n-МОП транзистора

      Алгоритм моделирования технологии изготовления представляет со-
бой    последовательность основных технологических операций в общем
виде. В качестве примера рассмотрен один из возможных алгоритмов изго-