Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 9 стр.

                                            9

                     W
                                      ⎛ W( ( )          ( ))       ⎞
               J n = ∫ α n ( x ) ⋅ exp⎜ − ∫ α n x ' − α p x ' dx ' ⎟dx = 1 ;
                     0                ⎝ x                          ⎠
                     W
                                     ⎛ x ( ( )          ( ))      ⎞
               J p = ∫ α p (x ) ⋅ exp⎜ − ∫ α p x ' − α n x ' dx ' ⎟dx = 1 ,
                     0               ⎝ 0                          ⎠

где W – толщина p-n перехода. Используя данный критерий пробоя, можно
определить напряжение пробоя. Приблизительно напряжение пробоя
можно определить по стоковой ВАХ (рис. 3,б).
    Аналогичные характеристики имеют р-канальные транзисторы, а так-
же нормально открытые транзисторы [5].
      2. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD
          2.1. Проект в программе-оболочке GENESIS

    В данном пособии рассматриваются принципы расчета основных
параметров МОП транзисторов на примере проекта n-МОП транзистора
с длинами канала 5, 3 и 1 мкм. Проект реализован в GENESISe, включает в
себя моделирование технологии создания транзистора, оптимизацию
расчетной сетки, расчет передаточной и выходных характеристик, опреде-
ление порогового напряжения, крутизны передаточной характеристики,
сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в
области насыщения, пробивного напряжения.
    Общий вид проекта показан на рисунке 4.




              Рис. 4. Проект n-МОП транзистора в GENESISe.