Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

7
характеристику транзистора. Типичный вид передаточных характеристик
приведен на рисунке 3,а. По передаточной характеристике можно опреде-
лить пороговое напряжение и крутизну характеристики транзистора.
Пороговое напряжение определяется как точка пересечения касатель-
ной к наиболее линейному участку характеристики (т. е. проведенной
через точку перегиба) с осью напряжения на затворе.
Крутизна S определяется как тангенс
угла наклона этой касательной:
constUс
зи
си
U
I
S
=
∂
∂
=
                                     7


характеристику транзистора. Типичный вид передаточных характеристик
приведен на рисунке 3,а. По передаточной характеристике можно опреде-
лить пороговое напряжение и крутизну характеристики транзистора.
    Пороговое напряжение определяется как точка пересечения касатель-
ной к наиболее линейному участку характеристики (т. е. проведенной
через точку перегиба) с осью напряжения на затворе.
    Крутизна S определяется как тангенс угла наклона этой касательной:
                                  ∂I си
                             S=
                                  ∂U зи   Uс =const

Страницы