Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

5
подзатворного слоя кремния отталкиваются вглубь подложки электри-
ческим полем, а электроны из подложки, наоборот, притягиваются. В ре-
зультате под затвором образуется обедненная основными носителями
область. По мере увеличения приложенного к затвору напряжения степень
обеднения усиливается, но, в то же время, увеличивается обогащение
неосновными носителями. При достижении порогового напряжения на
затворе U
пор
, когда концентрации электронов и дырок в поверхностном
слое сравняются, происходит инверсия типа проводимости
приповерхностного слоя полупроводника. В результате образуется канал,
соединяющий области стока и истока. В данном примере образуется канал
n типа. Таким образом, при напряжении на затворе выше порогового сток
и исток соединены каналом. Его проводимость управляется затворным
напряжением, при
изменении которого варьируется концентрация
носителей в канале. В данном примере рассмотрен n-канальный
транзистор, закрытый в нормальном состоянии, т. е. n-МОП транзистор
обогащенного типа. Существуют р-МОП транзисторы обогащенного типа,
а также р- и n-канальные транзисторы со встроенным каналом – это
нормально открытые транзисторы, или транзисторы обедненного типа.
Встроенный канал формируется обычно
при помощи ионного леги-
рования. Структура транзисторов этих типов показана на рисунке 1,б-г.
Рассмотрим n-канальный нормально закрытый транзистор с длиной
канала l
к
>>1мкм, т. е. длинноканальный транзистор, исток которого
соединен с подложкой и заземлен (рис. 1,а).
При напряжении на затворе больше порогового и нулевом напря-
жении сток-исток U
си
=0 канал имеет одинаковую толщину по всей длине
(рис. 2,а).
Если на сток подать положительное напряжение, то в цепи сток-исток
потечет ток I
си
, величина которого регулируется затворным напряжением.
Так как дополнительно к вертикальному электрическому полю, возникаю-
щему при подаче на затвор напряжения относительно подложки, в канале 
                                      5


подзатворного слоя кремния отталкиваются вглубь подложки электри-
ческим полем, а электроны     из подложки, наоборот, притягиваются. В ре-
зультате под затвором образуется обедненная основными носителями
область. По мере увеличения приложенного к затвору напряжения степень
обеднения усиливается, но, в то же время, увеличивается обогащение
неосновными носителями. При достижении порогового напряжения на
затворе Uпор, когда концентрации электронов и дырок в поверхностном
слое      сравняются,    происходит       инверсия   типа     проводимости
приповерхностного слоя полупроводника. В результате образуется канал,
соединяющий области стока и истока. В данном примере образуется канал
n типа. Таким образом, при напряжении на затворе выше порогового сток
и исток соединены каналом. Его проводимость управляется затворным
напряжением,      при   изменении   которого    варьируется   концентрация
носителей в канале. В данном примере рассмотрен n-канальный
транзистор, закрытый в нормальном состоянии, т. е. n-МОП транзистор
обогащенного типа. Существуют р-МОП транзисторы обогащенного типа,
а также р- и n-канальные транзисторы со встроенным каналом – это
нормально открытые транзисторы, или транзисторы обедненного типа.
Встроенный канал формируется обычно при помощи ионного леги-
рования. Структура транзисторов этих типов показана на рисунке 1,б-г.
       Рассмотрим n-канальный нормально закрытый транзистор с длиной
канала lк>>1мкм, т. е. длинноканальный транзистор, исток которого
соединен с подложкой и заземлен (рис. 1,а).
       При напряжении на затворе больше порогового и нулевом напря-
жении сток-исток Uси=0 канал имеет одинаковую толщину по всей длине
(рис. 2,а).
       Если на сток подать положительное напряжение, то в цепи сток-исток
потечет ток Iси, величина которого регулируется затворным напряжением.
Так как дополнительно к вертикальному электрическому полю, возникаю-
щему      при подаче на затвор напряжения относительно подложки, в канале

Страницы