Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 3 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

3
Содержание
1. Основы теории МДП транзисторов …………………………………… 4
2. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD……………………. 9
2.1. Проект в программе-оболочке GENESIS ………………………… 9
2.2. Алгоритм моделирования технологии создания n-МОП
транзистора ……………………………………………………….. 10
2.3. Создание физико-технологической модели n-МОП
транзистора с помощью программы DIOS ……………………... 12
2.4. Оптимизация расчетной сетки с помощью программы MDRAW 15
2.5. Расчет передаточной характеристики, определение порогового
напряжения и крутизны характеристики n-МОП транзистора .. 17
2.6.
Расчет семейства выходных характеристик, определение
сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной
области и в области насыщения …………………………………... 20
2.7. Определение пробивного напряжения n-МОП транзистора …… 23
3. Задания и вопросы…………………………………………………..….. 26
Литература ………………………………………………………………... 26 
                                 3




                              Содержание


1. Основы теории МДП транзисторов ……………………………………                    4
2. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD…………………….              9
 2.1. Проект в программе-оболочке GENESIS …………………………                9
 2.2. Алгоритм моделирования технологии создания n-МОП
     транзистора ………………………………………………………..                           10
 2.3. Создание физико-технологической модели n-МОП
     транзистора с помощью программы DIOS ……………………...              12
 2.4. Оптимизация расчетной сетки с помощью программы MDRAW        15
 2.5. Расчет передаточной характеристики, определение порогового
     напряжения и крутизны характеристики n-МОП транзистора ..     17
 2.6. Расчет семейства выходных характеристик, определение
    сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной
    области и в области насыщения …………………………………...                 20
 2.7. Определение пробивного напряжения n-МОП транзистора …… 23
3. Задания и вопросы…………………………………………………..…..                       26
Литература ………………………………………………………………...                             26

Страницы