Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

4
1. Основы теории МДП транзисторов
Принцип действия МДП транзистора основан на изменении типа про-
водимости и концентрации носителей в приповерхностном слое полупро-
водника под действием внешнего управляющего электрического поля.
МДП транзистор состоит из подложки, двух сильнолегированных областей
с противоположным, относительно подложки, типом проводимости (сток и
исток), и затвора из сильнолегированного поликремния или металла, отде-
ленного от
подложки слоем тонкого ~(100÷500) нм подзатворного диэлект-
рика (рис. 1).
a) б)
в) г)
Рис. 1. Структура МДП транзисторов:
а) n-канальный нормально закрытый; б) p-канальный нормально закрытый;
в) n-канальный нормально открытый; г) р-канальный нормально открытый.
Показанный на рисунке 1,а прибор работает следующим образом.
В нормальном состоянии, когда напряжение на затворе U
зи
=
0, сопротив-
ление сток-исток очень велико, поскольку в структуре находятся два
встречно включенных p-n перехода. При подаче на затвор положительного
относительно подложки напряжения дырки из приповерхностного 
                                    4


                 1. Основы теории МДП транзисторов

    Принцип действия МДП транзистора основан на изменении типа про-
водимости и концентрации носителей в приповерхностном слое полупро-
водника под действием внешнего управляющего электрического поля.
МДП транзистор состоит из подложки, двух сильнолегированных областей
с противоположным, относительно подложки, типом проводимости (сток и
исток), и затвора из сильнолегированного поликремния или металла, отде-
ленного от подложки слоем тонкого ~(100÷500) нм подзатворного диэлект-
рика (рис. 1).




                  a)                                  б)




                  в)                                  г)
                    Рис. 1. Структура МДП транзисторов:
  а) n-канальный нормально закрытый; б) p-канальный нормально закрытый;
  в) n-канальный нормально открытый; г) р-канальный нормально открытый.

    Показанный на рисунке 1,а прибор работает следующим образом.
В нормальном состоянии, когда напряжение на затворе Uзи= 0, сопротив-
ление сток-исток очень велико, поскольку в структуре находятся два
встречно включенных p-n перехода. При подаче на затвор положительного
относительно     подложки   напряжения   дырки   из   приповерхностного

Страницы