Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

11
товления простейшего n-МОП транзистора с использованием планарной
технологии.
1. Выращивание тонкого подзатворного окисла в сухом кислороде (рис. 5).
2. Осаждение поликремния (рис. 6).
3. Формирование затворной маски с помощью фотолитографии (рис. 7).
4. Анизотропное травление поликремния (рис. 8) с последующим удале-
нием фоторезиста.
5. Ионное легирование примесью n-типа для создания истоковой, стоковой
области и легирования поликремния (рис. 9).
6. Диффузионная разгонка имплантированной примеси (рис. 10).
7. Нанесение защитных слоев SiO
2
, Si
3
N
4
и др. (рис. 11).
8. Формирование с помощью фотолитографии маски для контактных окон.
9. Вскрытие контактных окон и удаление фоторезиста (рис. 12).
10. Формирование контактов (рис. 13).
Рис. 5. Выращенный тонкий
подзатворный окисел.
Рис. 6. Структура с осажденным
поликремнием.
Рис. 7. Сформированная затворная
маска из фоторезиста.
Рис. 8. Формирование затвора анизо-
тропным травлением поликремния. 
                                     11


товления простейшего n-МОП транзистора с использованием планарной
технологии.
1. Выращивание тонкого подзатворного окисла в сухом кислороде (рис. 5).
2. Осаждение поликремния (рис. 6).
3. Формирование затворной маски с помощью фотолитографии (рис. 7).
4. Анизотропное травление поликремния (рис. 8) с последующим удале-
  нием фоторезиста.
5. Ионное легирование примесью n-типа для создания истоковой, стоковой
  области и легирования поликремния (рис. 9).
6. Диффузионная разгонка имплантированной примеси (рис. 10).
7. Нанесение защитных слоев SiO2, Si3N4 и др. (рис. 11).
8. Формирование с помощью фотолитографии маски для контактных окон.
9. Вскрытие контактных окон и удаление фоторезиста (рис. 12).
10. Формирование контактов (рис. 13).




    Рис. 5. Выращенный тонкий             Рис. 6. Структура с осажденным
       подзатворный окисел.                        поликремнием.




 Рис. 7. Сформированная затворная     Рис. 8. Формирование затвора анизо-
        маска из фоторезиста.          тропным травлением поликремния.

Страницы