Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

13
Title('n-MOS')
!------Задание геометрических размеров и свойств подложки------------------
! Определение области моделирования (половина симметричной
структуры):
grid(x = (0.0, 3.5+@L_gate@/2) y = (-10.0, 0.0), nx=10)
! Задание свойств кремниевой подложки:
substrate (orientation = 100, element = B, conc = 1e15, ysubs = 0.0)
! Запуск графического окна и настройка расчетной сетки:
! MaxTrl - максимальное число разделений начальной ячейки сетки
! RefineGradient - максимальный уровень разделений в области высокого
! градиента концентрации примесей
! RefineMaximum = то же в области максимума концентрации
примесей
! RefineJunction = то же в области p-n переходов
! RefineBoundary = то же на границе раздела материалов
Repl( Cont(MaxTrl = 10, RefineBoundary = -3, RefineGradien = -4,
RefineMaximum = -3, RefineJunction = -6, Resist(MaxTrl =1), Ngra =1))
graph(triangle = off, plot)
! Задание глобальных моделей ионной имплантации и диффузии:
implantation:(function = p4, lateralfunction = pe)
diffusion:(moddiff = equilibrium, Si:(B:(ModClust = Equilibrium)),
Si:(P:(ModClust = Equilibrium)))
! Имплантация бора:
implant(element = B, dose=3e12, energy = 20keV, tilt = 0)
comment('Gate oxidation')
! Выращивание подзатворного окисла с разгонкой бора:
diffusion(time =10, temperature =1100, atmosphere = O2)
comment('Polysilicon gate deposition')
! Осаждение поликремния:
deposit(material = po, thickness = 1000nm)
comment('Poly gate pattern')
! Фотолитографическое создание маски для травления поликремния:
mask(material = resist, thickness =1000nm, xlef t= 0, xright =
0.2+@L_gate@/2)
comment('Poly gate etch')
! Анизотропное травление
незакрытого маской поликремния:
etching(material = po, stop = oxgas, rate(anisotropic = 100))
! Удаление фоторезиста:
etching(material = resist)
comment('Poly oxidation')
! Окисление поликремния:
diffusion(time = 15, temperature = 1100, atmosphere = O2)
comment('Phosphorus implantation for source and drain regions')
! Легирование поликремния и совмещение затвора и истока:
implant(element = P, dose = 100/1.6e-13, energy = 50keV, tilt = 0) 
                                    13


Title('n-MOS')
!------Задание геометрических размеров и свойств подложки------------------
!        Определение области моделирования (половина симметричной
структуры):
grid(x = (0.0, 3.5+@L_gate@/2) y = (-10.0, 0.0), nx=10)
! Задание свойств кремниевой подложки:
substrate (orientation = 100, element = B, conc = 1e15, ysubs = 0.0)
! Запуск графического окна и настройка расчетной сетки:
! MaxTrl - максимальное число разделений начальной ячейки сетки
! RefineGradient - максимальный уровень разделений в области высокого
! градиента концентрации примесей
! RefineMaximum = то же в области максимума концентрации примесей
! RefineJunction = то же в области p-n переходов
! RefineBoundary = то же на границе раздела материалов
Repl( Cont(MaxTrl = 10, RefineBoundary = -3, RefineGradien = -4,
       RefineMaximum = -3, RefineJunction = -6, Resist(MaxTrl =1), Ngra =1))
graph(triangle = off, plot)
! Задание глобальных моделей ионной имплантации и диффузии:
implantation:(function = p4, lateralfunction = pe)
diffusion:(moddiff = equilibrium, Si:(B:(ModClust = Equilibrium)),
Si:(P:(ModClust = Equilibrium)))
! Имплантация бора:
implant(element = B, dose=3e12, energy = 20keV, tilt = 0)
comment('Gate oxidation')
! Выращивание подзатворного окисла с разгонкой бора:
diffusion(time =10, temperature =1100, atmosphere = O2)
comment('Polysilicon gate deposition')
! Осаждение поликремния:
deposit(material = po, thickness = 1000nm)
comment('Poly gate pattern')
! Фотолитографическое создание маски для травления поликремния:
mask(material = resist, thickness =1000nm, xlef t= 0, xright =
0.2+@L_gate@/2)
comment('Poly gate etch')
! Анизотропное травление незакрытого маской поликремния:
etching(material = po, stop = oxgas, rate(anisotropic = 100))
! Удаление фоторезиста:
etching(material = resist)
comment('Poly oxidation')
! Окисление поликремния:
diffusion(time = 15, temperature = 1100, atmosphere = O2)
comment('Phosphorus implantation for source and drain regions')
! Легирование поликремния и совмещение затвора и истока:
implant(element = P, dose = 100/1.6e-13, energy = 50keV, tilt = 0)

Страницы