Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

15
contact4(name = 'substrate', location = bottom) ) )
Полученная в результате расчета модель МОП транзистора показана
на рисунке 14. Профили распределения примесей в структуре приведены
на рисунках 15,16.
Рис. 14. Физико-технологическая модель n-МОП транзистора
с длиной канала 3 мкм.
Рис. 15. Распределение концент-
рации примесей в приповерхност-
ном слое модели n-МОП тран-
зистора с длиной канала 3 мкм.
Рис. 16. Концентрационный про-
филь в вертикальном сечении,
проходящем через середину
структуры.
2.4. Оптимизация расчетной сетки
с помощью программы MDRAW
Для оптимизации расчетной сетки модели n-МОП транзистора
используется программа MDRAW под управлением представленного ниже
командного файла. 
                                      15


contact4(name = 'substrate', location = bottom) ) )

      Полученная в результате расчета модель МОП транзистора показана
на рисунке 14. Профили распределения примесей в структуре приведены
на рисунках 15,16.




         Рис. 14. Физико-технологическая модель n-МОП транзистора
                           с длиной канала 3 мкм.




  Рис. 15. Распределение концент-           Рис. 16. Концентрационный про-
 рации примесей в приповерхност-             филь в вертикальном сечении,
   ном слое модели n-МОП тран-                проходящем через середину
  зистора с длиной канала 3 мкм.                       структуры.

                 2.4. Оптимизация расчетной сетки
                  с помощью программы MDRAW

      Для оптимизации расчетной сетки модели n-МОП транзистора
используется программа MDRAW под управлением представленного ниже
командного файла.

Страницы