Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 19 стр.

                                   19


proj_load $dset
## Построение передаточной характеристики:
cv_create IdVg "$data gate InnerVoltage" "$data drain TotalCurrent" y
## Визуализация передаточной характеристики:
cv_display IdVg y
## Задание параметров визуализации передаточной характеристики:
cv_setCurveAttr IdVg "IdVg" black solid 2 none 3 defcolor 1 defcolor
## Установка атрибутов координатных осей:
gr_setAxisAttr X {Gate Voltage (V)} 12 {} {} black 1 12 0 5 0
gr_setAxisAttr Y {Drain Current (A)} 12 {} {} black 1 12 0 5 0
## Определение порогового напряжения по касательной:
set VT [ f_VT IdVg ]
## Запись значения порогового напряжения в переменную GENESISe:
ft_scalar VT $VT
## Определение порогового напряжения по уровню тока стока 0.1 мкА:
set VT1 [ f_VT1 IdVg ]
ft_scalar VT1 $VT1
## Определение крутизны передаточной характеристики:
set S [ f_gm IdVg]
ft_scalar S $S

Рассчитанная передаточная характеристика показана на рисунке 19.




    Рис. 19. Передаточная характеристика модели транзистора с длиной
    канала 3 мкм при напряжении сток-исток 10 В. Пороговое
    напряжение, определенное по касательной, составляет 3.4 В, по
    уровню тока стока 0.1 мкА: 0.8 В; крутизна характеристики 33 мА/В.