Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 21 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

21
* напряжений на затворе. Напряжения на затворе загружаются из
* соответствующих файлов vg1-vg5, каждая рассчитанная стоковая
* характеристика сохраняется в отдельный файл Curve1-Curve5:
load(FilePrefix = "vg1")
NewCurrent = "Curve1"
QuasiStationary
( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
{ coupled { Poisson Electron Hole}}
load(FilePrefix = "vg2")
NewCurrent = "Curve2"
QuasiStationary
( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
{ coupled { Poisson Electron Hole}}
load(FilePrefix = "vg3")
NewCurrent = "Curve3"
QuasiStationary
( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
{ coupled { Poisson Electron Hole}}
load(FilePrefix = "vg4")
NewCurrent = "Curve4"
QuasiStationary
( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
{ coupled { Poisson Electron Hole}}
load(FilePrefix = "vg5")
NewCurrent = "Curve5"
QuasiStationary
( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
{ coupled { Poisson Electron Hole}}}
Для визуального представления рассчитанного семейства выходных
характеристик используется программа INSPECT, управляемая приве-
денным ниже командным файлом. По выходной характеристике модели
n-MOП транзистора
с максимальным напряжением на затворе опре-
деляется сопротивление сток-исток в открытом состоянии в линейной
области, а также в области насыщения. 
                                    21


* напряжений на затворе. Напряжения на затворе загружаются из
* соответствующих файлов vg1-vg5, каждая рассчитанная стоковая
* характеристика сохраняется в отдельный файл Curve1-Curve5:
      load(FilePrefix = "vg1")
      NewCurrent = "Curve1"
            QuasiStationary
                  ( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
                  Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
                  { coupled { Poisson Electron Hole}}
      load(FilePrefix = "vg2")
      NewCurrent = "Curve2"
            QuasiStationary
                  ( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
                  Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
                  { coupled { Poisson Electron Hole}}
      load(FilePrefix = "vg3")
      NewCurrent = "Curve3"
            QuasiStationary
                  ( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
                  Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
                  { coupled { Poisson Electron Hole}}
      load(FilePrefix = "vg4")
      NewCurrent = "Curve4"
            QuasiStationary
                  ( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
                  Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
                  { coupled { Poisson Electron Hole}}
      load(FilePrefix = "vg5")
      NewCurrent = "Curve5"
            QuasiStationary
                  ( InitialStep = 0.001 Maxstep = 0.05 MinStep = 0.00001
                  Goal { name = "drain" voltage = 10.0 } )
                  { coupled { Poisson Electron Hole}}}

     Для визуального представления рассчитанного семейства выходных
характеристик используется программа INSPECT, управляемая приве-
денным ниже командным файлом. По выходной характеристике модели
n-MOП транзистора с максимальным напряжением на затворе опре-
деляется сопротивление сток-исток в открытом состоянии в линейной
области, а также в области насыщения.

Страницы