Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

23
Семейство рассчитанных выходных характеристик приведено на
рисунке 20.
Рис. 20. Семейство выходных характеристик для модели n-MOП
транзистора с длиной канала 3 мкм. Сопротивление сток-исток в
открытом состоянии в линейной области 13.8 Ом, в области насыщения
2011 Ом.
2.7. Определение пробивного напряжения
n-МОП транзистора
Определение пробивного напряжения методом построения ВАХ
практически не отличается от расчета выходных характеристик.
Необходимо только учесть лавинную генерацию носителей, а также
повышать напряжение на стоке до уровня, при котором транзистор
заведомо пробьется. Напряжение на затворе устанавливается равным 0 В.
Ниже приведены необходимые изменения в командном файле DESSIS.
В секции Electrode{} добавляется резистор,
подключенный к стоку:
Electrode {
{name = "source" voltage = 0.0}
{name = "gate" voltage = 0.0 }
{name = "substrate" voltage = 0.0}
{name = "drain" voltage = 0.0 resistor=200}
} 
                                     23


    Семейство рассчитанных выходных характеристик приведено на
рисунке 20.




   Рис. 20. Семейство выходных характеристик для модели n-MOП
   транзистора с длиной канала 3 мкм. Сопротивление сток-исток в
   открытом состоянии в линейной области 13.8 Ом, в области насыщения
   2011 Ом.

               2.7. Определение пробивного напряжения
                          n-МОП транзистора

   Определение пробивного напряжения методом построения ВАХ
практически   не   отличается   от    расчета   выходных   характеристик.
Необходимо только учесть лавинную генерацию носителей, а также
повышать напряжение       на стоке до уровня, при котором транзистор
заведомо пробьется. Напряжение на затворе устанавливается равным 0 В.
Ниже приведены необходимые изменения в командном файле DESSIS.

     В секции Electrode{} добавляется резистор, подключенный к стоку:
Electrode {
      {name = "source"      voltage = 0.0}
      {name = "gate"       voltage = 0.0 }
      {name = "substrate" voltage = 0.0}
      {name = "drain"      voltage = 0.0 resistor=200}
}

Страницы