Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

25
Рис. 21. Стоковая ВАХ модели n-МОП транзистора, рассчитанная с
учетом лавинной генерации носителей. Пробой наступил при
U
си
= 14 В, при этом из-за резкого возрастания тока уравнения
перестали сходиться и расчет в DESSIS прекратился. Напряжение на
стоке осталось равным пробивному.
На рисунках 22 и 23 показаны распределения электростатического
потенциала и напряженности электрического поля в модели n-МОП
транзистора при напряжении на стоке, равном пробивному. Данные
распределения позволяют определить область пробоя стокового р-n
перехода, проконтролировать размеры обедненной области p-n перехода.
Рис. 22. Распределение
электростатического потенциала
в моделируемой структуре.
Рис. 23. Распределение напряженности
электрического поля
в моделируемой структуре.
                                   25




    Рис. 21. Стоковая ВАХ модели n-МОП транзистора, рассчитанная с
    учетом лавинной генерации носителей. Пробой наступил при
    Uси = 14 В, при этом из-за резкого возрастания тока уравнения
    перестали сходиться и расчет в DESSIS прекратился. Напряжение на
    стоке осталось равным пробивному.

       На рисунках 22 и 23 показаны распределения электростатического
потенциала и напряженности электрического поля в модели n-МОП
транзистора при напряжении на стоке, равном пробивному. Данные
распределения позволяют определить область пробоя стокового р-n
перехода, проконтролировать размеры обедненной области p-n перехода.




       Рис. 22. Распределение        Рис. 23. Распределение напряженности
  электростатического потенциала               электрического поля
     в моделируемой структуре.             в моделируемой структуре.

Страницы