Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD. Асессоров В.В - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

Задания и вопросы
1. Зачем нужно легирование подложки бором в начале технологических
операций в примере проекта n-МОП транзистора? Рассчитать передаточ-
ную характеристику транзистора без легирования подложки бором и
сравнить с исходной передаточной характеристикой. Объяснить
результат.
2. Как повлияет учет саморазогрева рассмотренного n-МОП транзистора
на вид выходных характеристик? Рассчитать семейство выходных харак-
теристик с учетом саморазогрева
структуры. При этом в командном
файле DESSIS необходимо добавить термический контакт (термод) на
нижнюю поверхность подложки, а в секции Physics указать
использование термодинамических уравнений и учесть зависимость
скорости генерации от температуры. В секции Plot указать
распределение температуры, и в секции Solve при изменяющемся
напряжении на стоке дополнительно решить уравнения термодинамики.
Определить наиболее горячие участки n-
МОП транзистора.
3. Построить зависимости крутизны передаточной характеристики и
сопротивления сток-исток в открытом состоянии от длины канала в
диапазоне 10÷0.5 мкм.
Литература
1. Королев М.А. Приборно-технологическое моделирование при разработ-
ке изделий микроэлектроники и микросистемной техники / М.А. Коро-
лев, Т.Ю. Крупкина, Ю.А. Чаплыгин // Известия вузов. Электроника. –
2005. – № 4-5. – С. 64–71.
2. Тихомиров П. Система Senraurus TCAD компании Synopsys / П. Тихо-
миров, П. Пфеффли, М. Зорзи // Электроника: Наука. Технология. Биз-
нес. – 2006. – № 7. – С. 89–95.
3.
Synopsys World Leader in EDA Software and Services. –
(http://www.synopsys.com/)
4. ISE TCAD. Release 10. : User’s manual. – Zurich, 2004. – 1058 p.
5. Тилл У. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление /
У. Тилл, Дж. Лаксон . – М. : Мир, 1985. – 504 с. 
                             Задания и вопросы

1. Зачем нужно легирование подложки бором в начале технологических
  операций в примере проекта n-МОП транзистора? Рассчитать передаточ-
  ную характеристику транзистора без легирования подложки бором и
  сравнить     с   исходной    передаточной     характеристикой.      Объяснить
  результат.
2. Как повлияет учет саморазогрева рассмотренного n-МОП транзистора
  на вид выходных характеристик? Рассчитать семейство выходных харак-
  теристик с учетом саморазогрева структуры. При этом в командном
  файле DESSIS необходимо добавить термический контакт (термод) на
  нижнюю       поверхность     подложки,   а      в   секции   Physics    указать
  использование термодинамических уравнений и учесть зависимость
  скорости     генерации      от   температуры.       В   секции   Plot   указать
  распределение температуры, и в секции Solve при изменяющемся
  напряжении на стоке дополнительно решить уравнения термодинамики.
  Определить наиболее горячие участки n-МОП транзистора.
3. Построить зависимости крутизны передаточной характеристики и
  сопротивления сток-исток в открытом состоянии от длины канала в
  диапазоне 10÷0.5 мкм.


                                   Литература

1. Королев М.А. Приборно-технологическое моделирование при разработ-
   ке изделий микроэлектроники и микросистемной техники / М.А. Коро-
   лев, Т.Ю. Крупкина, Ю.А. Чаплыгин // Известия вузов. Электроника. –
   2005. – № 4-5. – С. 64–71.
2. Тихомиров П. Система Senraurus TCAD компании Synopsys / П. Тихо-
   миров, П. Пфеффли, М. Зорзи // Электроника: Наука. Технология. Биз-
   нес. – 2006. – № 7. – С. 89–95.
3. Synopsys World Leader in EDA Software and Services. –
   (http://www.synopsys.com/)
4. ISE TCAD. Release 10. : User’s manual. – Zurich, 2004. – 1058 p.
5. Тилл У. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление /
  У. Тилл, Дж. Лаксон . – М. : Мир, 1985. – 504 с.

Страницы