Программа государственного экзамена по специальности подготовки дипломированных специалистов 200100 "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Авдеев С.П - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

11. Неравновесные процессы в полупроводниках.
12. Время жизни носителей заряда.
13. Гальвано-магнитные явления в твердых телах.
14. Термоспектрические явления в твердых телах.
15. Поверхностные свойства полупроводников.
16. Оптические свойства кристаллов.
17. Контактные явления.
18. P-n-переход.
19. Эффект Галена.
20. Сверхпроводимость твердых тел.
Рекомендуемая литература:
1. Павлов П.В., Хохлов
А.Ф. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 1995.
2. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Энергоатом. издат., 1985.
3. Блэкмор Дж. Физика твердого тела (тю1,2). – М.: Мир, 1988.
4. Бонч-Бруевич В.А., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.:
Наука, 1977.
2.2. Физическая химия материалов и процессов электронной
техники.
1. Классификация физико-химических процессов
в микроэлектронике,
кинетический и термодинамический анализ процессов.
2. Термодинамика поверхностных процессов. (понятие поверхностного
натяжения; свободная энергия поверхности; зависимость поверхностного
натяжения от температуры; понятие смачивания).
3. Адсорбционные процессы на поверхности твердых тел. (понятия
адсорбции, хемосорбции; адсорбционное уравнение Гиббса).
4. Энергия взаимодействия атомных частиц с поверхностью твердого тела
(ориентационный, индукционный дисперсионный эффекты
; энергия
взаимодействия адсорбированных частиц с поверхностью).
5. Термодинамика поверхностных реакций (константа равновесия; изотермы
адсорбции Лэнгмюра и Фрейндлиха).
6. Механизм зародышеобразования и роста новой фазы (термодинамическая
теория Гиббса-Фольмера; модели гомогенного и гетерогенного
зародышеобразования).
7. Влияние технологических факторов зарождения новой фазы на структуру
плёнок.
8. Механизм роста плёнок. Эпитаксия (кинетическая теория
зародышеобразования Френкеля-Родина, понятие двумерного пара (газа)).
9. Процесс химического осаждения вещества (кинетика процесса, скорость
химического осаждения, технологические факторы, влияющие на скорость
процесса).
10. Электрохимическое осаждение вещества (механизм процесса, понятия
электрохимической и концентрационной поляризации).

Страницы