ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
2.4.Процессы микро- и нанотехнологии.
1. Схема установки и технология термического вакуумного распыления.
Законы Ламберта-Кнудсена. Критическая температура подложки.
Применение метода. Виды испарителей. Достоинства и недостатки метода.
2. Схема установки и технология катодного распыления. Характерные
области разряда. Физика процесса распыления. Нормальный и аномальный
тлеющий разряд. Применение метода. Достоинства и недостатки катодного
распыления.
3. Влияние давления газа, энергии ионов и расстояния анод-подложка на
процесс распыления. Физическое и реактивное катодное распыление.
4. Схема установки и технология ионно-плазменного распыления.
Достоинства и недостатки метода. Применение.
5. Схема установки и технология высокочастотного распыления в плазме
дугового разряда. Достоинства и недостатки метода. Применение.
6. Модифицированная и
В-образная схемы ионно-плазменного распыления.
Параметры высокочастотного распыления. Достоинства и недостатки
метода.
7. Ионно-плазменное и жидкостное травление микроструктур. Достоинства и
недостатки методов. Применение.
8. Реактивное ионно-химическое и плазмохимическое травление
микроструктур. Достоинства и недостатки методов. Применение.
9. Технологический процесс контактной фотолитографии. Негативные и
позитивные фоторезисты. Требования к фоторезистам.
Факторы влияющие
на точность фотолитографии.
10. Проекционная и рентгеновская литографии. Схемы методов. Достоинства
и недостатки методов.
11. Электронно-лучевая растровая и электронно-лучевая проекционная
литографии. Технология изготовления шаблонов для электронно-лучевой
проекционной литографии. Достоинства и недостатки методов.
12. Схемы методов и технология окисления в сухом и влажном кислороде.
Механизм окисления. Применение
.
13. Окисление в парах воды и под давлением. Схемы и технология методов.
Влияние технологических факторов на скорость окисления. Достоинства и
недостатки методаов. Применение.
14. Механизмы и законы диффузии. Коэффициент диффузии. Диффузия из
неограниченного источника примесей. Распределение примесей при
загонке.
15. Диффузия из неограниченного источника примесей. Распределение
примесей при разгонке. Технологические
процессы и методы диффузии.
Типы диффузантов.
16. Схема установки и технология ионного легирования. Распределение
примеси при загонке и разгонке. Эффект каналирования. Достоинства и
недостатки метода. Применение.
