Программа государственного экзамена по специальности подготовки дипломированных специалистов 200100 "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Авдеев С.П - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

17. Методы эпитаксиального наращивания полупроводников. Прямая и
обратная эпитаксия. Авто- и гетероэпитаксия. Установка и технология
эпитаксиального наращивания с горизонтальным реактором. Достоинства
и недостатки метода.
18. Сборка микросхем в корпусе. Герметизация холодной сваркой, пайкой,
электронно-лучевой, аргонно-дуговой, микроплазменной и лазерной
сваркой, пластмассами, методами свободной заливки. Особенности
методов.
19. Методы изоляции микросхем
. Маршрут изготовления ИМС с изоляцией p-
n переходов. Достоинства и недостатки метода.
20. Маршрут изготовления ИМС с комбинированной изоляцией методом
“изопланар”. Достоинства и недостатки метода.
Рекомендуемая литература:
1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем. Уч. пос. – М.: Высш. шк., 1986.
2. Коледов Л.А. Технология
и конструкции микросхем, микропроцессоров и
микросборок. Учебник для вузов, 1989.
3. Парфенов О.Д. Технология микросхем, 1986.
2.5. Методы исследования материалов и структур электроники.
1. Измерения и их погрешности. Характеристики случайных распределений.
Доверительная вероятность и доверительный интервал.
2. Определение удельного сопротивления материалов двух и
четырехзондовым методами, методом сопротивления растекания и
методом Ван-дер-
Пау.
3. Эффект Холла и магниторезистивный эффект. Определение концентрации
и подвижности носителей заряда методами, основанными на эффекте
Холла.
4. Измерение дрейфовой подвижности неосновных носителей заряда.
Измерение времени жизни носителей заряда методом модуляции
проводимости.
5. Транспорт носителей заряда. Механизмы рассеяния носителей заряда.
Туннелирование носителей заряда через потенциальный барьер.
6. Оптические методы определения
коэффициента диффузии, диффузионной
длины, скорости поверхностной рекомбинации и времени жизни (метод
светового зонда и движущегося светового луча).
7. Интерференция света. Оборудование для измерения толщины слоев
методами интерферометрии. Интерферометр Майкельсона.
8. Характеристики поляризации монохромного излучения. Плоскость
поляризации, разность фаз. Линейная и круговая поляризация.
Коэффициенты отражения Френеля. Многослойные среды.
9. Основные уравнения
элипсометрии. Обратная задача элипсометрии.
Элипсометры. Структура, характеристики, параметры, разрешение.

Страницы