ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
25
осуществляется проводниками 5, герметизация корпуса – пайкой крышки 4 с
основанием корпуса 3. Функцию припоя выполняет покрытие, нанесенное на
основание корпуса.
В конструкции полупроводниковой микросхемы в металлокерамическом
корпусе прямоугольной формы с выводами, расположенными параллельно
монтажной плоскости корпуса (рис. 19, б), кристалл 6 напаивается на
металлизированное керамическое основание корпуса 3; соединение контактных
площадок кристалла с контактными площадками внешних выводов 1
осуществляется с помощью проводника 5, а герметизация корпуса — пайкой
крышки 4 и металлизированного слоя керамического изолятора.
Тонкопленочные ИМС – микросхемы, элементы которых выполнены в
виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрического материала.
Элементы тонкопленочных микросхем наносятся преимущественно методами
вакуумного напыления, с помощью тонкопленочной технологии изготавливают
в основном пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и индуктивности), а
также пленочные проводники и контактные площадки. На рис. 20 показана
тонкопленочная микросхема, которая является пассивной частью гибридной
микросхемы.
Гибридные ИМС – микросхемы, состоят из пассивных элементов,
полученных тонкопленочной технологией; и навесных элементов любого
назначения (транзисторы, диоды, конденсаторы, резисторы и т. д.).
Преимущество гибридных микросхем состоит в том, что они дают возможность
сочетать достоинство пленочной технологии с высокими электрическими
параметрами навесных элементов.
Пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности),
контактные площадки для монтажа навесных элементов, пленочные
проводники, а также навесные элементы 1 размещены на подложке 2.
Она представляет собой прямоугольную пластину толщиной 0,2–1,6 мм.
Одна сторона подложки, на которую наносят пленочный рисунок, является
рабочей. Подложка крепится на основание корпуса 5. Соединение между
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 23
- 24
- 25
- 26
- 27
- …
- следующая ›
- последняя »
