Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 74 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

где – нач
– напряжение внешнего источника смещения моду-
лятора;
– амплитуда напряжения возбуждения.
итуд первой ники и постоянная составляющая
колл
отс
u альное напряжение смещения на статической
входной характеристике;
см
Е
б
U
Ампл а гармо
екторного тока модулятора вычисляется по формулам
б11к
SUI γ
=
,
б00к
SUI γ
=
.
Можно построить зависимость токов (рис. 14.4)
в зависимос
1к
I ,
0к
I
ти от напряжения смещения при постоянной ам-
плитуде напряжения возбуждения
б
U (статическая модуля-
ционная характеристика).
Рис. 14.4. Статическая модуляционная характеристика
По в области не-
дон
при базовой модуляции
строенная зависимость показывает, что
апряженного режима токи
1к
I ,
0к
I почти линейно возрас-
тают в зависимости от напряжения смещения. При макси-
мальном напряжении на базе, равном
бсм
UЕ
+
, имеет место
перегиб модуляционной характеристики. Для повышения ко-
74
где uотс – начальное напряжение смещения на статической
входной характеристике;
    Есм – напряжение внешнего источника смещения моду-
лятора;
    U б – амплитуда напряжения возбуждения.
    Амплитуда первой гармоники и постоянная составляющая
коллекторного тока модулятора вычисляется по формулам
                          I к1 = γ1 SU б ,
                        I к 0 = γ 0 SU б .
    Можно построить зависимость токов I к1 , I к 0 (рис. 14.4)
в зависимости от напряжения смещения при постоянной ам-
плитуде напряжения возбуждения U б (статическая модуля-
ционная характеристика).




       Рис. 14.4. Статическая модуляционная характеристика
                       при базовой модуляции

    Построенная зависимость показывает, что в области не-
донапряженного режима токи I к1 , I к 0 почти линейно возрас-
тают в зависимости от напряжения смещения. При макси-
мальном напряжении на базе, равном Есм + U б , имеет место
перегиб модуляционной характеристики. Для повышения ко-
                                74

Страницы