Формирование и передача сигналов. Бакеев Д.А - 75 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

эффициента полезного необходимо, чтобы точка
пер гранич
действия
егиба характеристики соответствовала ному режи-
му. Таким образом, базовая амплитудная модуляция осущест-
вляется в недонапряженном режиме с низким коэффициентом
полезного действия –
%4030
−
(только максимальной мощ-
ности соответствует граничный
я).
достоинством
ительная
у модулятора
частоты (
представлена
в котором
питания
режим с высоким коэффици-
ентом полезного действи
Несомненным базовой модуляции является
то, что требуется незнач мощность низкой частоты,
которая подается в баз . Эта мощность снимается
с усилителя низкой подмодулятора).
На рис. 14.5 схема коллекторного ампли-
тудного модулятора, модуляция осуществляется
изменением напряжения .
VT1 VT2
VT3 VT4
L1
L2
L3
L4
L5
C5
C1
C2
C3
C4
C6
C7
C8
C9
TV2
TV1
Есм
Uнч
Uw
Ек
Рис. 14.5. Схема коллекторного амплитудного модулятора
При изменении напряжения питания по закону
() ( )
tmEtU
ω
+
= cos1
кп
амплитуда этого напряжения опреде-
ляется как
(
)
tmEtU
ω
=
cos
кп
. При этом ток транзистора су-
щественно изменяется и перенапряженного режима,
которая используется для модуляции (рис. 14.6).
Перенапряженный режи
в област
м в отличие от недонапряженного
режима характеризуется более высоким коэффициентом по-
лезного действия, поэтому коллекторная амплитудная моду-
75
эффициента полезного действия необходимо, чтобы точка
перегиба характеристики соответствовала граничному режи-
му. Таким образом, базовая амплитудная модуляция осущест-
вляется в недонапряженном режиме с низким коэффициентом
полезного действия – 30 − 40% (только максимальной мощ-
ности соответствует граничный режим с высоким коэффици-
ентом полезного действия).
    Несомненным достоинством базовой модуляции является
то, что требуется незначительная мощность низкой частоты,
которая подается в базу модулятора. Эта мощность снимается
с усилителя низкой частоты (подмодулятора).
    На рис. 14.5 представлена схема коллекторного ампли-
тудного модулятора, в котором модуляция осуществляется
изменением напряжения питания.

                                             L2                              C5            L5
                       VT1                               C2     VT2                   C6        C7
                                            C1
                                  L1                                        L4

             Uw
                                                               L3
                                       C4                                        C8
                                                  C3




                  Ек
                             C9                               T V1




                                  VT3                                 VT4
                                                       Есм




                                                              T V2
                                                       Uнч




       Рис. 14.5. Схема коллекторного амплитудного модулятора

      При изменении напряжения питания по закону
U п (t ) = Eк (1 + m cos ω t ) амплитуда этого напряжения опреде-
ляется как U п (t ) = Eк m cos ω t . При этом ток транзистора су-
щественно изменяется в области перенапряженного режима,
которая используется для модуляции (рис. 14.6).
      Перенапряженный режим в отличие от недонапряженного
режима характеризуется более высоким коэффициентом по-
лезного действия, поэтому коллекторная амплитудная моду-

                                                       75

Страницы