ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
34
Масочно-программируемые ПЗУ. Информация заносится в них
в процессе изготовления, обычно на финишном его участке, и не мо-
жет быть впоследствии изменена. В серийном производстве эти мик-
росхемы относительно дёшевы. Однако каждая «прошивка», т.е. зано-
симый в ПЗУ массив информации, требует соответствующей дорого-
стоящей технологической подготовки производства – индивидуальной
маски (фотошаблона). Поэтому данный тип ПЗУ рентабельно приме-
нять в уже отлаженных изделиях, выпускаемых большими партиями.
Программируемые ПЗУ (ППЗУ, PROM) с плавкими перемыч-
ками поступают к потребителю в первоначальном незапрограммиро-
ванном состоянии, соответствующем нулям или единицам во всех ЭП.
В режиме программирования нужную информацию записывают в ППЗУ
путём пережигания плавких перемычек, играющих роль ЭП, электри-
ческим током с помощью программатора. В дальнейшем изменение
информации, занесённой в ППЗУ, возможно только путём пережига-
ния перемычек, оставшихся после предыдущего программирования.
Репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) с ультрафиолетовым сти-
ранием (RPROMS) информации в настоящее время редко используют-
ся в ЭВМ. В этих ЗУ каждый бит хранимой информации отображается
состоянием соответствующего МОП-транзистора с плавающим затво-
ром, представляющим собой конденсатор. Заряжая и разряжая его,
производят запись и стирание информации. Заряд в таких конденсато-
рах может сохраняться очень долго (более 10 лет) за счёт высокого
качества изолирующего слоя.
Незапрограммированная микросхема РПЗУ с ультрафиолетовым
стиранием имеет на выходах по всем адресам уровень логической
единицы.
Для записи в требуемые разряды логического нуля на соответст-
вующие выводы данных подаётся уровень 0, а на остальные – 1. Мож-
но производить коррекцию ранее записанной информации, изменяя
состояние 1 на 0 (но не наоборот).
Для стирания информации в течение 30 – 60 минут облучают кри-
сталл микросхемы сквозь прозрачное окно в её корпусе ультрафиоле-
товым излучением люминесцентной лампы, которое увеличивает ток
утечки в изолирующем слое, приводя к рассасыванию хранимого на
плавающих затворах заряда.
Число циклов перезаписи лежит обычно в пределах 10…100 (для
различных типов), так как по мере перепрограммирования постепенно
ухудшаются диэлектрические свойства изолирующего слоя.
РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием применялись на начальном
этапе развития микропроцессорной техники. В настоящее время они
вытеснены РПЗУ с электрическим стиранием различных видов.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »