Вычислительная техника и сети в задачах управления качеством. Балабанов П.В - 35 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

35
РПЗУ с электрическим стиранием и электрической записью
(EEPROM) позволяет производить как запись, так и стирание инфор-
мации с помощью электрических сигналов. Благодаря этому появляет-
ся возможность изменять содержимое постоянной памяти непосредст-
венно в ЭВМ, если там предусмотрены устройства формирования сиг-
налов стирания и программирования.
Достоинством РПЗУ с электрическим стиранием является не
только удобство и высокая скорость перезаписи информации, но и
значительное допустимое число циклов перезаписи. Современные тех-
нологии гарантируют не менее 1 000 000 циклов.
Flash-память является разновидностью РПЗУ с электрическим
стиранием. В настоящее время Flash ПЗУ широко используются для
организации программной памяти микроконтроллеров и в качестве мо-
бильных устройств для хранения больших объёмов информации. Воз-
можность создания ЗУ большой ёмкости обусловлена малым размером
ЭП по сравнению с ЭП EEPROM. Однако при этом уменьшается ресурс ЗУ.
Для Flash-памяти обычно допускается не менее 1000 циклов перезаписи.
На рисунке 9.4 представлены примеры графических обозначений
ПЗУ на принципиальных схемах. Функциональное назначение микро-
схемы указывается в середине. Слева расположены выводы входных
сигналов адреса и управления, справа – выходы данных, подачи пита-
ния (U
CC
, GND) и напряжения программирования (U
PR
). Знак инверсии
на входе CS показывает, что активация микросхемы производится ло-
гическим уровнем 0, а выключение – 1. Запись производится при по-
даче на вход WR логического уровня 1, чтение – 0.
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
WR
U
PR
U
CC
GND
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
CS1
CS2
D0
D1
D2
D3
PROM
573РФ2 556РТ4
RPROMS
CS
U
CC
GND
а)
б)
Рис. 9.4. Условные графические обозначения ПЗУ:
а – ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и двунаправленным выходом с тремя
состояниями; б – программируемое ПЗУ с плавкими перемычками

Страницы