Составители:
Устойчивость кристаллических структур обусловлена близостью их
потенциальной энергии к минимуму. Одним из путей уменьшения потенци-
альной энергии кристаллических структур является максимальное сближение
материальных частиц в кристаллической решетке — их плотнейшая упаков-
ка.
Тенденция к реализации плотнейшей упаковки свойственна всем кри-
сталлическим структурам, но сильнее всего она выражена в кристаллах с ме-
таллическим
и ионным взаимодействиями, где связи являются ненаправлен-
ными и ненасыщенными, а материальные частицы вследствие сферической
симметрии их электронных облаков можно с большой степенью точности
считать несжимаемыми сферами — шарами.
Плотнейший шаровой слой А — это слой соприкасающихся равновели-
ких шаров (рис. 22, а).
Рис. 22. Плотнейший шаровой слой (а)
и плотнейшая упаковка двух шаровых слоев (б)
(шары верхнего слоя заштрихованы)
Между шарами слоя А имеются лунки двух типов — b и с. Лунки типа
b обращены одной «вершиной» вверх, тогда как лунки типа с — одной «вер-
шиной» вниз.
Чтобы получить многослойную плотнейшую шаровую упаковку, необ
-
ходимо исходный шар В' второго шарового слоя поместить в любую из лунок
(b или с) первого шарового слоя. Остальные шары второго плотнейшего слоя
расположатся вокруг шара В' так же, как шары первого плотнейшего слоя во-
круг шара А'. При этом шары второго плотнейшего слоя займут все лунки
одного
типа (b или с) в зависимости от того, в какую именно лунку был по-
ложен исходный шар В' (рис. 22, б).
Второй плотнейший шаровой слой (слой В), располагаясь над первым,
тоже образует два различных типа лунок — с и а; лунки с этого слоя нахо-
дятся над лунками с первого слоя,
а лунки а — над центрами шаров первого
слоя. Поэтому третий плотнейший шаровой слой можно уложить на второй
двумя способами — помещая шары либо в лунки с (слой С), либо в лунки а
(слой А).
Повторяя в вышележащих слоях тот или иной порядок укладки, можно
39
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »
