Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 94 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АлтГУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

94
Вариант а б в г д е ж з и к л м
η/ i,
В/(мкА/см
2
)
3.0/32
4.0/100
5.0/320
1.0/50
1.6/250
2.0/800
4.4/25
5.2/50
5.8/80
9.0/4
12/10
16/63
5.4/10
6.4/16
8.0/32
0.9/18
1.2/100
1.5/560
2.6/100
3.4/20
5.0/80
3.8/32
4.8/80
5.8/200
0.8/100
1.0/220
1.2/500
6.0/10
8.0/50
11/180
10/2.0
17/16
20/80
20/1.0
28/4.0
35/10
3. Какова будет скорость электрополирования антимонида индия в мкм/мин для
плотности анодного тока (мА/см
2
) и выходу по току В
т
, которые приведены в таблице, если
окисление полупроводника идет до индия (III) и сурьмы (III). Плотность InSb
ρ
InSb
= 5.78 г/см
3
.
Вариант а б в г д е ж з и к л м
i, мА/см
2
90 100 80 90 70 120 110 60 140 100 125 130
В
т
, % 90 95 80 80 100 90 90 95 80 80 95 85
Ответ
3.4 4.0 2.7 3.1 3,0 4.6 4.2 2.4 4.8 3.4 5.0 4.7
Указание. Для решение задачи используйте основное уравнение электрохимии.
4. Вычислите толщину диэлектрической пленки (ρ = 4⋅10
12
Ом⋅см), если при
напряжении 120 В остаточный ток при анодировании составил следующие значения:
Вариант а б в г д е ж з и к л м
i, мкА/см
2
3106 2 5 4121 7118 9
Ответ, нм 100 30 50 150 60 75 25 300 43 27 38 33
5. Какова будет толщина оксидной пленки, полученной анодированием на поверхности
арсенида индия, если выход по току в пленку составляет для In
2
O
з
– 90 %, для As
2
O
3
– 60 %,
а плотность тока и время анодирования соответствуют данным таблицы.
ρ (As
2
O
3
) = 3.8 г/см
3
.
Плотность In
2
O
з
необходимо найти в справочнике.
Вариант а б в г д е ж з и к л м
i, мА/см
2
4171029358653
Время, с 30 40 10 20 30 6 15 7 8 18 6 8
Ответ, нм 273 91 160 456 137 123 102 80 146 246 68 55
6. Какое напряжение будет падать в анодной пленке при анодировании арсенида галлия до
оксидов β-Ga
2
O
3
и Аs
2
О
3
(В
т
= 100 %), если константа скорости роста пленки К и количество
электричества
Q, затраченного на формирование пленки, соответствуют значениям, приведен-
ным в таблице. ρ (
As
2
O
3
) = 3.8 г/см
3
. Плотность β-Ga
2
O
3
необходимо найти в справочнике.
Вариант а б в г д е ж з и к л м
Q, мА
*
с/см
2
350 205 460 340 280 220 400 310 480 360 305 300
К, нм/В 2.0 1.8 2.3 2.1 1.9 2.0 2.3 1.7 2.2 1.8 2.1 1.9
Ответ, В 90 58 102 83 75 56 89 93 112 108 74 81
 Вариант       а     б         в         г         д           е       ж          з         и         к         л      м
   η/ i,    3.0/32 1.0/50 4.4/25 9.0/4 5.4/10 0.9/18 2.6/100 3.8/32 0.8/100 6.0/10 10/2.0 20/1.0
           2
В/(мкА/см ) 4.0/100 1.6/250 5.2/50 12/10 6.4/16 1.2/100 3.4/20 4.8/80 1.0/220 8.0/50 17/16 28/4.0
            5.0/320 2.0/800 5.8/80 16/63 8.0/32 1.5/560 5.0/80 5.8/200 1.2/500 11/180 20/80 35/10

     3. Какова будет скорость электрополирования антимонида индия в мкм/мин для
плотности анодного тока (мА/см2) и выходу по току Вт, которые приведены в таблице, если
окисление полупроводника идет до индия (III) и сурьмы (III). Плотность InSb ρInSb = 5.78 г/см3.

      Вариант а           б     в         г         д      е          ж      з         и      к        л         м
      i, мА/см2 90       100   80        90         70    120        110    60        140    100      125       130
         Вт, %  90       95    80        80        100    90         90     95        80     80       95        85
        Ответ 3.4        4.0   2.7       3.1       3,0    4.6        4.2    2.4       4.8    3.4      5.0       4.7
     Указание. Для решение задачи используйте основное уравнение электрохимии.

     4. Вычислите толщину диэлектрической пленки (ρ = 4⋅1012 Ом⋅см), если при
напряжении 120 В остаточный ток при анодировании составил следующие значения:

      Вариант а           б        в      г         д       е        ж       з        и         к     л         м
     i, мкА/см2 3         10        6     2          5      4        12      1         7        11    8         9
     Ответ, нм 100        30       50    150        60     75        25     300       43        27    38        33

     5. Какова будет толщина оксидной пленки, полученной анодированием на поверхности
арсенида индия, если выход по току в пленку составляет для In2Oз – 90 %, для As2O3 – 60 %,
а плотность тока и время анодирования соответствуют данным таблицы. ρ (As2O3) = 3.8 г/см3.
Плотность In2Oз необходимо найти в справочнике.

     Вариант     а         б        в          г     д      е          ж      з         и        к        л      м
              2
     i, мА/см    4         1         7        10      2     9           3     5         8        6         5      3
     Время, с   30        40        10        20     30     6          15     7         8       18        6      8
     Ответ, нм 273        91       160       456    137    123        102    80        146      246       68     55

    6. Какое напряжение будет падать в анодной пленке при анодировании арсенида галлия до
оксидов β-Ga2O3 и Аs2О3 (Вт = 100 %), если константа скорости роста пленки К и количество
электричества Q, затраченного на формирование пленки, соответствуют значениям, приведен-
ным в таблице. ρ (As2O3) = 3.8 г/см3. Плотность β-Ga2O3 необходимо найти в справочнике.

     Вариант      а         б   в             г   д             е      ж       з        и        к         л      м
               2
     Q, мА*с/см 350        205 460           340 280           220    400    310       480      360       305    300
     К, нм/В     2.0       1.8 2.3           2.1 1.9           2.0    2.3    1.7       2.2      1.8       2.1    1.9
     Ответ, В    90        58 102            83 75             56      89     93       112      108        74     81




                                                          94

Страницы