Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 96 стр.

27. Вехов В.А., Денисова Л.В., Сорокин И.П., Стремилова Н.И. Растворимость двуокиси герма-
    ния в минеральных кислотах // Изв. вузов, химия и хим. технол. 1964. Т.12. – С. 236.
28. Тананаев И.В., Авдуевская К.А. Растворимость двуокиси германия в плавиковой кислоте
    // ЖНХ. 1958. Т. 3. – С. 2165.
29. Изидинов С.О. Исследование свойств поверхности кремния в процессе анодной пассива-
    ции в щелочных растворах // Электрохимия. 1968. Т. 4. – С. 1157.
30. Turner D.R. On Mechanism of chemical Etching of the Germanium and Silicon // J.
    Electrochem. Soc. 1960. V. 107. N 10. Р. 810; 1958. V. 105. – Р. 402.
31. Тurner D.R. Experimental Information on Electrochemical Reaction at Germanium and Silicon
    Surface // The Electrochemistry of Semiconductors. Ed by P.J. Holmes. New York : Academic
    Press. 1962. – P. 155.
32. Memming R., Schwandt G. Anodic Dissolution of Silicon in hydrofluoric Acid Solutions //
    Surface Sci. 1966. V. 4. – P. 109.
33. Изидинов С.О. Фотоактивация и фотопассивация кремния // Итоги науки. Электрохимия.
    Т. 14. – М.: Изд. ВИНИТИ, 1979. – 208 с.
34. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И.Г. Анодное растворение кремния в плавиковой кислоте //
    ЖФХ. 1961. Т. 35. – С. 384.
35. Meck R.L. Anodic Dissolution of N+-Silicon // J.Electrochem. Soc. 1971. V.118. N 3. – Р. 437.
36. Uhlir A. Anodic Dissolution of Ge and Si // Bell. System. Тесhn., J. 1956. V. 35. – P.333.
37. Beckmann K.H. Investigation of chemical Property of Films over corrodive Silicon by Metod
    of infrared Spectroscopy // Surface Sci. 1965. V. 3. N 4. – P. 314.
38. Некрасов Б.В. Основы общей химии. Т. 1. – М. :Химия, 1974. – 656 с.
39. Blakemore J.S. Semiconducting and other major Properties of Gallium Arsenide // J. Appl.
    Phys. 1982. V. 53. №10. – P. 123.
40. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 2. – М. :Мир, 1984. – 447 с.
41. Плесков Ю. В. Электрохимическое поведение арсенида галлия // Докл. АН СССР. 1962.
    Т. 143. № 16. – С. 1399.
42. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И. Г. Анодное растворение арсенида галлия // Электрохимия.
    1965. Т. 1. № 7. – С. 818.
43. Gerischer H. Über den Mechanismus der Аnodischen Auflösung von Galliumarsenid // Ber.
    Bunsenges. phys. Chem. 1965. Bd. 69. N 7. – S. 578.
44. Gerischer H. Electrochemical Behavior of Semiconductors under Illumination // J.
    Electrochem. Soc. 1966. V. 113. N 11. – P. 1174.
45. Harvey W.W. Gallium Arsenide electrode Behavior // J. Electrochem. Soc. 1967. V.114. N 5. – P. 473.
46. Катаев Г.А., Санников В.А., Батенков В.А. Поведение арсенида галлия в азотнокислых
    растворах в присутствии комплексообразователей и состояние его поверхности // Вопр.
    химии. Тр. ТГУ. Сер. хим. – Томск :Изд-во Том. ун-та. 1968. T. 192. Вып. 4. – С. 201.
47. Возмилова Л.Н., Буц Э.В., Каплун Г. Б. Электрохимические процессы на арсениде гал-
    лия // Электрохимия. 1968. Т. 4. № 6. – С. 704.
48. Straumanis М.Е., Кrummе J.P., James W.J. Current Desity – anodic Potential Curves of Single
    Crystal GaAs at low Currents in KOH // J. Electrochem.Soc. 1968. V. 115. N 10. – P. 1050.
49. Gerischer H., Wallem-Mattes I. Zum Mechanismus der Auflösung von Galliumarsenid durch
    Oxydationsmitted // Z. Phys. Chem. N.F. 1969. Bd. 64. – S. 187.
50. Батенков В.А. Исследование электрохимических свойств арсенида галлия и германия и
    состояние их поверхности. /Дис. ... канд. хим. наук. Том. гос. ун-т, 1969. – 316 с.
51. Батенков В.А., Катаев Г.А., Ксиландер Н.Я. Анодное поведение арсенида галлия n-типа в
    растворах винной, лимонной и азотной кислот // Вопр. химии. Тр. ТГУ. Сер. хим. – Томск
    : Изд-во Том. ун-та. 1971. Т. 204. – С. 180.
52. Молчанова С.А., Ерусалимчик И.Г. Анодное поведение GaAs в растворах плавиковой
    кислоты при низких плотностях тока // Электрохимия. 1971. Т. 7. № 7. – С. 1025.
53. Молчанова С.А., Ерусалимчик И.Г. Об участии легирующих примесей в электродных процес-
    сах на границе арсенид галлия – электролит // Электрохимия. 1973. Т. 9. № 8. – С. 1147.


                                                  96