Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 97 стр.

54. Губарев А.В. Кинетика электрохимических процессов на электродах из арсенида галлия
    //Исследование растворения металлов и минералов в кислых средах. – Омск. :Изд-во
    Омск. пед. ин-та. 1973. Вып. 74. – С. 116.
55. Кузмак А.Е., Тимашев С.Ф., Молчанова С.А. О токах генерации неосновных носителей
    заряда при анодном растворении n-GaAs // Электрохимия. 1975. Т. 11. – С. 234.
56. Ambrige T., Elliott C.R., Faktor M.M. The Electrochemical Characterization of N-Type GaAs
    // J. Appl. Electrochem. 1973. V. 3. N 1. – P. 1.
57. Yamamoto A., Yano S. Anodic Dissolution of N-Type Gallium Arsenide under Illumination //
    J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. N 2. – P. 260.
58. Tranchart J.C., Hollan L., Memming R. Localized Avalanche Breakdown on GaAs Electrodes
    in Aqueous Eectrolytes // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125. N 7. – P. 1185.
59. Aegerter C., Lorenz W. Electronic non-equilibrium charge transfer Kinetics in anodic Dark and
    Photocurrents on N-III-V-semiconductor Electrodes // J. Electroanal. Chem. 1986. V.209. N 2.
    – P. 259.
60. Lingier S., Gomes W.P., Cardon F. A Comparative Study of Anodic Charge-Transfer Kinetics
    at Dark p-Type GaAs // Ber. Bunsenges. phys. Chem. 1989. Bd. 93. – S. 2.
61. Батенков В.А. О природе предельного анодного тока полупроводников n-типа // Тез.
    докл. VII Всесоюз. конф. по электрохимии. – Черновцы :АН СССР. 1988. Т. 2. – С. 217.
62. А.с.762656 СССР, МКИ2 Н ОI L 29/48. Диод с барьером Шоттки. / В.А.Батенков, В.Г.
    Божков, В.М Тевелевич. Заявлено 12.06.74 г.
63. Вяткин А.П., Максимова Н.К., Катаев Г.А., Батенков В.А. Электрические характеристи-
    ки поверхностно-барьерных диодов никель – арсенид галлия. Изв. вузов. Физика. 1967.
    № 11. – С. 86.
64. Шалимова К.В. Физика полупроводников. 2-е изд. – М. :Энергия, 1976. – 416 с.
65. Сhang C.Y., Sze S.M. Carrier Transport across Metall – Semiconductor Barriers // Solid State
    Electron. 1970. V. 13. – P.727.
66. Young L. Anodic Oxid Films. – London-New York: Academic Press, 1961. Перевод: Юнг Л.
    Анодные оксидные пленки. – Л. :Энергия, 1967. – 232 с.
67. Одынец Л.Л., Ханина Е.Я. Физика окисных пленок. Петрозаводск, 1981. 74 с.; Одынец
    Л.Л., Орлов В.М. Анодные оксидные плёнки. – Л. :Наука, 1990. – 200 с.
68. Возмилова Л.Н.. Анодное окисление полупроводников. Препринт 23-78. – Новосибирск
    :Сиб. отд. АН СССР, 1978. – 12 с.
69. Шелпакова И.Р., Аюпов Б.М., Орлов П.Б., Щербакова О.И., Юделевич И.Г. О механизме
    роста анодного оксида на полупроводниках // Изв. Сиб. отд. АН СССР. Сер. хим. наук.
    1982. № 7. Вып. 3. – С. 40.
70. Dewald J.F. Anodic Oxidation of InSb // J. Electrochem. Soc. 1957. V. 104. – P.244.
71. Бабинский О.В. Анодное растворение и полирование InSb :Дипл. работа. – Барнаул. :Алт.
    гос. ун-т. 1979.– 69 с.
72. Мацас Е.П., Чайкин В.И., Малютенко В.К., Снитко О.В. Электрополирование антимони-
    да индия // Электрохимия. 1975, Т. 11. № 12. – С. 1873.
73. Ida I., Iiyama Sh., Furumoto Sh. Electropolishing of GaAs with a Rotating Disc // Annals of
    the C.I.R.P. 1971. V. 19. – P. 331.
74. Панков Дж. И. Практическое применение электрохимических процессов в полупроводни-
    ковой технике // Травление полупроводников: Пер. с англ. –М.: Мир. 1965. – С. 62.
75. А.с. 1395043 СССР, МКИ2 Н 01 L 21/302. Способ электрохимической резки слитков ан-
    тимонида индия на пластины / В.А. Батенков, С.В. Темерев. Заявлено 18.06.86 г.
76. Radovici O., Boncioca N., Popescu-Tucsek V. Some kinetic Aspects of the anodic Oxidation of
    Silicon in Ethylene Glycol //Rev. Roum. Chim.1972. N 1, 2. – P. 253.
77. Hasegawa H., Hartnagel H. L. Anodic Oxidation of GaAs in mixed Solu-tions of Glycol and
    Water // J. Electrochem. Soc. 1976. V. 123. N 5. – P. 713.
78. Fujisada H., Nakagawa T., Sasase T. Formation of very thin anodic Oxide of InSb // Jap. J.
    Appl. Phys. 1983. V.22. N 8. – P. L525.


                                               97