ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
111
нятно, поскольку в компенсированном полупроводнике нарушений периодич-
ности поля решетки значительно больше, чем в собственном.
Пусть концентрации примеси не равны, следовательно, компенсация бу-
дет не полной,
.
aД
NN <
В таком случае величина
aДД
NNN −=
′
будет играть роль примеси одного вида, поскольку часть
′
−
ДД
NN
пойдет на компенсацию акцепторной примеси. Однако имеется некоторое от-
личие в поведениях час тично скомпенсированного и нескомпенсированого по-
лупроводников.
Запишем УЭН для этого случая:
′
=−=−−+
ДaДaД
NNNppnn
. (356)
Пр и Т→0 n и р обращаются в 0, следовательно, УЭН имеет вид:
′
=−
ДaД
Npn (357)
или
′
=−=
+
−
+
−−
ДaД
KT
EE
a
KT
EE
g
NNN
e
N
e
N
aFFД
1
2
1
1
2
1
. (358)
Из физических соображений можно предположить, что ,
aF
EE > это приводит
к 0
=
a
p при Т=0К, следовательно,
′
=−=
ДaДД
NNNn . (359)
Таким образом, положение
F
E для этого предельного случая легко найти из:
,
1
2
1
′
=
+
−
Д
KT
EE
Д
N
e
N
FД
(360)
или
,22
aД
a
Д
ДД
KT
EE
NN
N
N
NN
e
FД
−
=
′
′
−
=
−
(361)
откуда
a
aД
ДF
N
NN
KTEE
2
ln
−
+=
. (362)
Если T=0К, то
ДF
EE = , т. е. уровень Ферми совпадает с донорным уров-
нем.
Для концентрации электронов можем за-
писать
KT
E
a
caД
KT
E
a
aД
с
a
a
e
N
NNN
n
e
N
NN
Nn
δ
δ
−
−
−
=
⋅
−
=
2
)(
,
2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 110
- 111
- 112
- 113
- 114
- …
- следующая ›
- последняя »
