ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
118
,
KT
hv
z
e
= −
e
v частота оптических колебаний.
б) Междолинное рассеяние.
Возникает в полупроводниках, в которых С – зона содержит более одного ми-
нимума энергии.
в) Межэлектронное рассеяние
Считается, что данный механизм рассеяния мало сказывается на величине под-
вижности в полупроводниках.
г) Рассеяние на ионизованных примесях.
1
22
0
22
2/1*
32
2/3
2
0
22/1
)
*24
ln(
)2(64
−
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⋅=
I
n
nI
I
Ne
TKm
meNz
KT
h
εεεεπ
μ
формула Дингля-Брукса
1
2/12
0
2/1*
32
2/3
2
0
22/1
)
12
(1ln(
)2(64
−
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
+⋅=
zNe
KT
meNz
KT
I
nI
I
εεπεεπ
μ
формула Конуэлла-Вайскопфа
N
I – полная концентрация свободных носителей заряда.
Z – зарядовое число.
д) Рассеяние на нейтральных примесях.
Доминирующее при низких температурах.
е) Рассеяние на дислокациях.
