ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
117
.)exp(
1
0
∫
∞
=⋅−=
τ
ττ
dt
t
tt (393)
Следовательно,
*
)exp(
0
*
n
ox
n
oxx
m
eE
Vdt
t
t
m
Ee
VV
τ
τ
τ
⋅⋅
−=−==
∫
∞
r
. (394)
Т. к. приобретенная скорость электрона после каждого соударения тер я-
ется, то
.0=
ox
V
Следовательно,
*
n
x
m
eE
V
τ
−=
. (395)
Уравнение (395) можно переписать в виде:
EV
nx
μ
−=
. (396)
μ
n>0 – подвижность электрона, следовательно,
*
n
n
m
e
τ
μ
=
. (397)
Аналогично в случае положительных дырок
*
p
x
m
eE
V
τ
−=
′
, (398)
где
*
p
p
m
e
τ
μ
=
– подвижность дырок. (399)
7.10. Рассеяние электронов и дырок
В полупроводниках различают следующие механизмы рассеяния:
а) Рассеяние на тепловых колебаниях кристаллической решётки рассеяние на
фононах).
Различают акустические фононы и оптические фононы.
При рассеянии на акустических фононах
2/3
22/5
2
42/12/3
)(3
2
KTEm
Ue
ee
e
l
⋅
⋅⋅⋅
=
ρπ
μ
h
, (400)
где
ρ
– плотность материала, Ue – скорость акустической волны в кристалле,
E
e – деформационный потенциал.
При рассеянии на оптических фононах:
,))((
2
*31
1
2/3
−
= zf
e
vm
en
om
απ
μ
(401)
где
,
1
)()(
2/1
z
e
zxzf
z
−
⋅=
(402)
