Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 38 стр.

химической связи с атомом германия, а пятый валентный электрон
оказывается слабо связанным с атомом примеси, поэтому он легко
становится «свободным». Эти электроны уже при комнатной темпера-
туре могут принимать участие в создании тока проводимости.
     Примеси, добавление которых к собственному полупроводнику
приводит к увеличению концентрации свободных электронов, назы-
ваются донорными, а проводимость в этом случае будет
________________ (n-типа).
     Добавление к германию трехвалентной примеси, например, бора
или индия, приводит к повышению концентрации __________ (рис. 3).
У подобной примеси не хватает одного электрона для установления
                  дырка      прочной связи с атомом германия, по-
                             этому между этими двумя атомами по-
   +4         +4        +4   лучается    незаполненная   валентная
                             связь, или дырка. Число дырок в кри-
                             сталле равно числу ___________ приме-
   +4         +3        +4   си.
                                 Примеси, при добавлении которых
                             к чистому полупроводнику возрастает
                             концентрация дырок, называются ак-
   +4         +4        +4
                             цепторными, а проводимость будет
                             _____________ (p-типа).
 Рис. 3. Акцепторная примесь     Примесной называется проводи-
                             мость, обусловленная присутствием в
полупроводнике ____________ какого-либо типа.
     Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе
электронно-дырочного перехода, который представляет собой гра-
ницу между двумя областями полупроводника, одна из которых
p-типа, а другая – n-типа. Создание такого перехода осуществляется,
например, ________________ способом или путем ______________
имплантации (ионной бомбардировкой поверхности полупроводника
с последующим высокотемпературным отжигом).
     В p-области перехода основными носителями являются ________
__________, а неосновными – ____________. В n-области, наоборот,
основными носителями являются ________________, а неосновными –
__________. Следовательно, в каждой области концентрация основ-
ных носителей много больше концентрации неосновных носителей
заряда и в области контакта полупроводников с различным типом
проводимости существует градиент концентрации электронов и ды-
рок, вызывающий их диффузию через пограничный слой во встреч-
ных направлениях.

                                38