Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 39 стр.

                                 В результате ухода электронов и
            Eк               дырок из атомов в приконтактных облас-
                             тях возникает область положительно и
                             отрицательно заряженных ионов (доно-
                             ров и акцепторов) – __________________
                             _______ слой. Этот слой обладает боль-
   область           область шим сопротивлением, так как в нем от-
    p-типа            n-типа сутствуют свободные носители заряда.
            область
          p–n перехода       Сами электроны и дырки, перейдя в со-
                             седние области p-n перехода, рекомби-
  Рис. 4. Схема p-n перехода
                             нируют (нейтрализуются) там с основ-
ными носителями. Таким образом, на границе двух полупроводников
появляется контактное поле напряженностью Ek (рис. 4).
      Направление контактного поля таково, что оно ________________
дальнейшему переходу через двойной слой основных носителей с той
и другой стороны p-n перехода и, наоборот, ____________ переносу
неосновных носителей.
      Если на p-полупроводник подать положительный потенциал, а на
n-полупроводник – отрицательный, то двойной слой обогатится
__________________ носителями заряда и его сопротивление снизится
(прямое смещение p-n перехода). Если на p-область подать отрица-
тельный потенциал, а на n-область – положительный, то ____________
носители заряда будут оттягиваться от области двойного электриче-
ского слоя, ширина его увеличится и сопротивление возрастет (обрат-
ное смещение перехода). Ток через p-n переход будет мал и обуслов-
лен движением ________________ носителей заряда, концентрация
которых незначительна. Такой ток называют обратным или тепло-
вым. Таким образом, сопротивление p-n перехода при одном направ-
лении тока больше, чем при другом, следовательно, p-n переход хо-
рошо пропускает ток только в _____________ направлении (обладает
выпрямляющими свойствами). Эти свойства легли в основу работы
полупроводникового диода – полупроводникового прибора с одним
p-n переходом и двумя выводами. Электронно-дырочный переход
нельзя получить, наложив одну на другую пластины, изготовленные
из полупроводников с различной примесной проводимостью, так как
между пластинами неизбежно наличие поверхностных пленок или
очень тонкого слоя воздуха. Такой переход создается лишь посредст-
вом образования областей с различными электропроводностями в од-
ной пластине полупроводника методом ________________.


                                39