Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГАУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

40
Важнейшее значение в теории полупроводниковых приборов
представляет аналитическая зависимость между напряжением, при-
ложенным к p-n переходу, и возникающим при этом током. Такая за-
висимость называется ___________________________
характери-
стикой p-n перехода
(диода) и описывается уравнением:
,1
−⋅=
ϕ
T
U
Т
еII
(1)
где
T
I – тепловой ток p-n перехода;
U – приложенное к переходу напряжение (учитывает знак);
T
ϕ – температурный потенциал, определяемый по формуле:
,
е
Tk
T
⋅
=ϕ (2)
где k – постоянная Больцмана;
T
– абсолютная температура среды;
е – заряд электрона.
Анализ выражения (1) для комнатных температур (
=
T
300 К,
026,0=ϕ
T
В) показывает следующее. При прямых напряжениях, пре-
вышающих 0,1 В, можно пренебречь ______________ по сравнению с
___________________ составляющей, а при отрицательных напряже-
ниях
1,0>−U В, наоборот, значение ___________________ состав-
ляющей становится пренебрежимо малым по сравнению с
_____________. Следовательно, график роста прямого тока через по-
лупроводниковый диод с увеличением прямого напряжения представ-
ляет собой экспоненциальную кривую. При обратном включении ток,
проходящий через диод, становится очень малым, определяется толь-
ко тепловым током и не зависит от _________________. Таким обра-
зом, величина и направление тока, протекающего через p-n переход
(диод), зависят от величины и знака приложенного к переходу напря-
жения.
На рисунке 5 приведена вольт-амперная характеристика
(
)(UfI =
) идеального полупроводникового диода. Для реальных
диодов вольт-амперная характеристика может иметь несколько иной,
но похожий вид. 
    Важнейшее значение в теории полупроводниковых приборов
представляет аналитическая зависимость между напряжением, при-
ложенным к p-n переходу, и возникающим при этом током. Такая за-
висимость называется ___________________________ характери-
стикой p-n перехода (диода) и описывается уравнением:
                                     U     
                           I = IТ ⋅ е ϕ − 1,
                                   T
                                                               (1)
                                          
где I T – тепловой ток p-n перехода;
    U – приложенное к переходу напряжение (учитывает знак);
    ϕT – температурный потенциал, определяемый по формуле:
                                 k ⋅T
                          ϕT =        ,                        (2)
                                   е
где k – постоянная Больцмана;
    T – абсолютная температура среды;
   е – заряд электрона.
     Анализ выражения (1) для комнатных температур ( T = 300 К,
ϕT = 0,026 В) показывает следующее. При прямых напряжениях, пре-
вышающих 0,1 В, можно пренебречь ______________ по сравнению с
___________________ составляющей, а при отрицательных напряже-
ниях −U > 0,1 В, наоборот, значение ___________________ состав-
ляющей становится пренебрежимо малым по сравнению с
_____________. Следовательно, график роста прямого тока через по-
лупроводниковый диод с увеличением прямого напряжения представ-
ляет собой экспоненциальную кривую. При обратном включении ток,
проходящий через диод, становится очень малым, определяется толь-
ко тепловым током и не зависит от _________________. Таким обра-
зом, величина и направление тока, протекающего через p-n переход
(диод), зависят от величины и знака приложенного к переходу напря-
жения.
     На рисунке 5 приведена вольт-амперная характеристика
( I = f (U ) ) идеального полупроводникового диода. Для реальных
диодов вольт-амперная характеристика может иметь несколько иной,
но похожий вид.


                                 40

Страницы