Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГАУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

42
5. Удельное сопротивление полупроводника с ростом количества
примесей в нем...
6.
Удельное сопротивление полупроводника с ростом количества
донорных примесей в нем...
7.
Удельное сопротивление полупроводника с ростом количества
акцепторных примесей в нем...
8.
Дыркой в теории проводимости полупроводников называется...
9.
В полупроводнике без примесей число электронов проводимо-
сти равно числу...
10.
Во внешнем электрическом поле дырки движутся...
11.
Во внешнем электрическом поле электроны проводимости
полупроводника движутся...
12.
Без внешнего электрического поля электроны проводимости
в объеме полупроводника движутся ...
13.
Без внешнего электрического поля дырки в объеме полупро-
водника движутся ...
14.
Электропроводимость полупроводника, обусловленная дви-
жением свободных электронов, называется электронной, или прово-
димостью...
15.
Электропроводимость полупроводника, обусловленная дви-
жением дырок, называется дырочной, или проводимостью...
16.
Электропроводность в полупроводниках, обусловленная сво-
бодными электронами и дырками, образовавшимися в равных количе-
ствах при тепловых движениях атомов, называется...
17.
Донорными называются примеси, добавление которых к соб-
ственному полупроводнику приводит к...
18.
Акцепторными называются примеси, добавление которых к
собственному полупроводнику приводит к...
19.
Электропроводность в полупроводниках, обусловленная
присутствием примесей какого-либо типа, называется...
20.
Примесной проводимостью полупроводника называется...
21.
Собственной проводимостью полупроводника называется...
22.
p-n переходом называется...
23.
Создание p-n перехода в полупроводниках осуществляется
способом...
24.
Число дырок в полупроводнике при добавлении акцепторной
примеси равно числу...
25.
Аналитическая зависимость между напряжением, приложен-
ным к p-n переходу, и протекающим по нему током называется ... 
     5. Удельное сопротивление полупроводника с ростом количества
примесей в нем...
     6. Удельное сопротивление полупроводника с ростом количества
донорных примесей в нем...
     7. Удельное сопротивление полупроводника с ростом количества
акцепторных примесей в нем...
     8. Дыркой в теории проводимости полупроводников называется...
     9. В полупроводнике без примесей число электронов проводимо-
сти равно числу...
     10. Во внешнем электрическом поле дырки движутся...
     11. Во внешнем электрическом поле электроны проводимости
полупроводника движутся...
     12. Без внешнего электрического поля электроны проводимости
в объеме полупроводника движутся ...
     13. Без внешнего электрического поля дырки в объеме полупро-
водника движутся ...
     14. Электропроводимость полупроводника, обусловленная дви-
жением свободных электронов, называется электронной, или прово-
димостью...
     15. Электропроводимость полупроводника, обусловленная дви-
жением дырок, называется дырочной, или проводимостью...
     16. Электропроводность в полупроводниках, обусловленная сво-
бодными электронами и дырками, образовавшимися в равных количе-
ствах при тепловых движениях атомов, называется...
     17. Донорными называются примеси, добавление которых к соб-
ственному полупроводнику приводит к...
     18. Акцепторными называются примеси, добавление которых к
собственному полупроводнику приводит к...
     19. Электропроводность в полупроводниках, обусловленная
присутствием примесей какого-либо типа, называется...
     20. Примесной проводимостью полупроводника называется...
     21. Собственной проводимостью полупроводника называется...
     22. p-n переходом называется...
     23. Создание p-n перехода в полупроводниках осуществляется
способом...
     24. Число дырок в полупроводнике при добавлении акцепторной
примеси равно числу...
     25. Аналитическая зависимость между напряжением, приложен-
ным к p-n переходу, и протекающим по нему током называется ...


                                42

Страницы