Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 44 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГАУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

44
Лабораторная работа № 5
ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА
Цель работы – установить зависимость силы тока, протекающего
по фоторезистору от светового потока и приложенного напряжения.
Основные теоретические сведения
В настоящее время широко распространены различные типы фо-
тоэлектрических приборов, одним из которых является фоторези-
стор – непроволочный _______________________ прибор, электриче-
ское сопротивление которого изменяется под действием оптического
излучения. К оптическому диапазону излучения относят
________________, видимое и ___________________ излучения с дли-
ной волны от десятков нанометров до десятых долей миллиметра.
Работа фоторезисторов основана на явлении внутреннего фото-
эффекта (фотопроводимости) в полупроводниках.
Под внутренним фотоэффектом понимают переход электронов
в полупроводнике из связанных состояний (из валентной зоны) в сво-
бодные (в зону проводимости) под действием ____________________.
Результатом внутреннего фотоэффекта является возрастание концен-
трации в полупроводниках свободных носителей заряда (электронов)
и, как следствие, уменьшение ______________________.
Внутренний фотоэффект происходит при частоте, превышающей
или равной значению, которое называют «__________________» внут-
реннего фотоэффекта:
,
h
W
кр
∆
=ν
(1)
где W∆ – энергия электромагнитного излучения, необходимая для
перехода электрона из связанного состояния в свободное;
сДжh ⋅⋅=
−34
1063,6
– постоянная Планка.
По своему устройству и технике применения фоторезисторы яв-
ляются простейшими из фотоэлектрических приборов и в зависимости
от типа и назначения имеют самые разнообразные конструктивные
решения. На рисунке 1 схематически показано устройство фоторези-
стора. Пластина или пленка ______________________________ 2 за-
креплена на _____________ 1 из непроводящего материала – стекла,
керамики или кварца. В зависимости от применяемого слоя полупро-
                Лабораторная работа № 5
      ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА

    Цель работы – установить зависимость силы тока, протекающего
по фоторезистору от светового потока и приложенного напряжения.

                Основные теоретические сведения

     В настоящее время широко распространены различные типы фо-
тоэлектрических приборов, одним из которых является фоторези-
стор – непроволочный _______________________ прибор, электриче-
ское сопротивление которого изменяется под действием оптического
излучения. К оптическому диапазону излучения относят
________________, видимое и ___________________ излучения с дли-
ной волны от десятков нанометров до десятых долей миллиметра.
     Работа фоторезисторов основана на явлении внутреннего фото-
эффекта (фотопроводимости) в полупроводниках.
     Под внутренним фотоэффектом понимают переход электронов
в полупроводнике из связанных состояний (из валентной зоны) в сво-
бодные (в зону проводимости) под действием ____________________.
Результатом внутреннего фотоэффекта является возрастание концен-
трации в полупроводниках свободных носителей заряда (электронов)
и, как следствие, уменьшение ______________________.
     Внутренний фотоэффект происходит при частоте, превышающей
или равной значению, которое называют «__________________» внут-
реннего фотоэффекта:
                                    ∆W
                           ν кр =      ,                        (1)
                                     h
где ∆W – энергия электромагнитного излучения, необходимая для
            перехода электрона из связанного состояния в свободное;
     h = 6,63 ⋅10 −34 Дж ⋅ с – постоянная Планка.
    По своему устройству и технике применения фоторезисторы яв-
ляются простейшими из фотоэлектрических приборов и в зависимости
от типа и назначения имеют самые разнообразные конструктивные
решения. На рисунке 1 схематически показано устройство фоторези-
стора. Пластина или пленка ______________________________ 2 за-
креплена на _____________ 1 из непроводящего материала – стекла,
керамики или кварца. В зависимости от применяемого слоя полупро-


                                    44

Страницы