Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГАУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

46
Этот ток (I
T
) обусловлен наличием в неосвещенном полупровод-
нике некоторого количества свободных ______________ заряда.
При освещении фоторезистора сопротивление его уменьшается, и
в цепи протекает ток, называемый ______________:
.
c
c
R
U
I =
(3)
Этот ток значительно больше _____________ тока. Его возраста-
ние происходит за счет увеличения концентрации свободных носите-
лей заряда в полупроводниковой пленке 2 (рис. 1) вследствие внут-
реннего _______________.
Разность между световым и темновым токами называется
_______________:
.
т
III
cф
−
=
(4)
Интегральная чувствительность определяется при воздействии
на фоторезистор немонохроматического излучения.
Величина фототока, приходящаяся на единицу светового потока,
называется интегральной чувствительностью (К) фоторезистора:
___________. (5)
Для измерения интегральной чувствительности фоторезистора
принято использовать лампу накаливания с вольфрамовой нитью при
температуре 2850 К. Обычно интегральная чувствительность фоторе-
зисторов колеблется от 50 до 1200 мА/лм.
Рабочее напряжение – это максимально возможное напряжение,
не приводящее к ______________ других параметров фоторезистора в
течение всего срока службы. Оно может заключаться в пределах от
нескольких единиц вольт до 100 В.
Значения параметров фото-
резисторов, как и любых полу-
проводниковых приборов, суще-
ственно зависят от температуры.
Для выбора типа и режима
работы фоторезистора исполь-
зуют ряд его характеристик.
Вольт-амперная характе-
ристика – показывает зависи-
мость _______________ (
ф
I
) от
____________________ (U) при
Ф=0
Ф
1
Ф
3
Ф
2
Рис. 3. Вольт-амперные
ха
р
акте
р
истики
ф
ото
р
езисто
р
а
U, B
I
Ф
3
>Ф
2
>Ф
1
I
ф
,
мк
    Этот ток (IT) обусловлен наличием в неосвещенном полупровод-
нике некоторого количества свободных ______________ заряда.
    При освещении фоторезистора сопротивление его уменьшается, и
в цепи протекает ток, называемый ______________:
                                  U
                              Ic = .                          (3)
                                  Rc
    Этот ток значительно больше _____________ тока. Его возраста-
ние происходит за счет увеличения концентрации свободных носите-
лей заряда в полупроводниковой пленке 2 (рис. 1) вследствие внут-
реннего _______________.
    Разность между световым и темновым токами называется
_______________:
                           Iф = Ic − Iт.                      (4)
    Интегральная чувствительность определяется при воздействии
на фоторезистор немонохроматического излучения.
    Величина фототока, приходящаяся на единицу светового потока,
называется интегральной чувствительностью (К) фоторезистора:
                             ___________.                          (5)
    Для измерения интегральной чувствительности фоторезистора
принято использовать лампу накаливания с вольфрамовой нитью при
температуре 2850 К. Обычно интегральная чувствительность фоторе-
зисторов колеблется от 50 до 1200 мА/лм.
    Рабочее напряжение – это максимально возможное напряжение,
не приводящее к ______________ других параметров фоторезистора в
течение всего срока службы. Оно может заключаться в пределах от
нескольких единиц вольт до 100 В.
                                          Значения параметров фото-
            Ф3>Ф2>Ф1
     Iф, I              Ф3            резисторов, как и любых полу-
     мк                      Ф2       проводниковых приборов, суще-
                                      ственно зависят от температуры.
                                 Ф1
                                          Для выбора типа и режима
                                      работы фоторезистора исполь-
                               Ф=0    зуют ряд его характеристик.
                                          Вольт-амперная характе-
                              U, B
                                      ристика – показывает зависи-
           Рис. 3. Вольт-амперные
                                      мость _______________ ( I ф ) от
       характеристики фоторезистора
                                           ____________________ (U) при

                                      46

Страницы