Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 47 стр.

постоянном ____________________ ( I ф = f (U ф ) при Ф = Const).
Вольт-амперные характеристики большинства фоторезисторов линей-
ны (рис. 3). Однако в некоторых случаях при повышении напряжения
                                линейность нарушается.
 Iф,                                Световая характеристика –
 мкА                            это зависимость ___________ ( I ф )
                                 от ____________________ (Ф) по-
                                 стоянного спектрального состава
                                 ( I ф = f (Ф ) при U = Const) (рис. 4).
                                   При малых значениях светового по-
                                   тока характеристику можно считать
                           Ф, лм   линейной, а при больших – прямо
 Рис. 4. Световая характеристика   пропорциональная зависимость на-
           фоторезистора           рушается.
    Когда световой поток мал, первичный фототок проводимости
практически безынерционен и изменяется прямо пропорционально
величине ________________________, падающего на фоторезистор.
По мере возрастания величины светового потока увеличивается число
электронов проводимости. Двигаясь внутри полупроводника, элек-
троны сталкиваются с атомами, __________________ их и создают
дополнительный поток электрических зарядов, получивший название
вторичного фототока проводимости. Увеличение числа ионизирован-
ных атомов тормозит движение электронов проводимости. В резуль-
тате этого изменения фототока ___________________ во времени от-
носительно изменений светового потока, что определяет некоторую
инерционность фоторезистора и нелинейность световой характери-
стики.
    Спектральная характеристика – это зависимость чувствитель-
ности фоторезистора от ________________ светового излучения. Фо-
тоток ( I ф ) зависит от спектрального состава светового потока. Зави-
симость относительного значения фототока от длины волны излуче-
ния ( λ ) при постоянном световом потоке определяет спектральную
характеристику фоторезисторов ( I ф / I ф max = f (λ ) при Ф = Const),
которая зависит от их материала. Путем соответствующего подбора
последнего можно построить фоторезистор, чувствительный к любой
части видимого спектра. Некоторые из фоторезисторов обладают

                                 47