Основы электромагнетизма. Беховых Ю.В - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГАУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

45
водникового материала фоторезисторы
подразделяются на сернисто-свинцовые,
сернисто-кадмиевые, сернисто-висмутовые
и поликристаллические селено-кадмиевые.
В качестве _______________ 3 используют
металлы, не подвергающиеся коррозии (се-
ребро, золото, платина). Для защиты от
внешних воздействий поверхность _______
________________________ 2 фоторезисто-
ра покрывают слоем ____________________
___________ 4. Фоторезистор включается в
цепь ____________________ с управляемым
устройством (R
н
) и источником электро-
энергии (рис. 2).
К достоинствам фоторезисторов
можно отнести высокую ________________,
небольшие ______________, возможность
работы в цепях постоянного и переменного токов и в инфракрасной
области спектра излучения. В ряде случаев ток, протекающий через
фоторезистор можно использовать непосредственно без применения
промежуточного усиления для приведения в действие исполнительно-
го механизма. Это является существенным преимуществом фоторези-
стора перед другими типами фотоэлектрических приборов.
Однако при освещении фоторезистора ток в нем достигает своего
конечного значения лишь спустя некоторый промежуток времени, а
при затемнении фоторезистора он уменьшается с некоторым запозда-
нием. Фоторезисторы обладают заметной ___________________,
поэтому для регистрации кратковременных световых импульсов они
не годятся.
К
основным параметрам фоторезисторов относятся: темновое
сопротивление, темновой ток, световой ток, фототок, интеграль-
ная чувствительность, рабочее напряжение и т.д.
Темновое сопротивление (R
Т
) – сопротивление фоторезистора,
который ____________________. В этих условиях в цепи с фоторези-
стором под действием напряжения (U) источника электроэнергии соз-
дается небольшой ________________________:
.
т
т
R
U
I =
(2)
1
3
4
Рис. 1. Устройство
фоторезистора
ФР
–
+
R
H
U
Рис. 2. Схема включения
фоторезистора
А
µ
2 
     3       4             водникового материала фоторезисторы
                           подразделяются на сернисто-свинцовые,
                           сернисто-кадмиевые, сернисто-висмутовые
 2
     1
                           и поликристаллические селено-кадмиевые.
                           В качестве _______________ 3 используют
     Рис. 1. Устройство    металлы, не подвергающиеся коррозии (се-
        фоторезистора
                           ребро, золото, платина). Для защиты от
                 ФР        внешних воздействий поверхность _______
                           ________________________ 2 фоторезисто-
                       RH
     µА
                           ра покрывают слоем ____________________
                           ___________ 4. Фоторезистор включается в
                           цепь ____________________ с управляемым
         + U –
                           устройством (Rн) и источником электро-
                           энергии (рис. 2).
   Рис. 2. Схема включения      К достоинствам фоторезисторов
        фоторезистора      можно   отнести высокую ________________,
                           небольшие ______________, возможность
работы в цепях постоянного и переменного токов и в инфракрасной
области спектра излучения. В ряде случаев ток, протекающий через
фоторезистор можно использовать непосредственно без применения
промежуточного усиления для приведения в действие исполнительно-
го механизма. Это является существенным преимуществом фоторези-
стора перед другими типами фотоэлектрических приборов.
     Однако при освещении фоторезистора ток в нем достигает своего
конечного значения лишь спустя некоторый промежуток времени, а
при затемнении фоторезистора он уменьшается с некоторым запозда-
нием. Фоторезисторы обладают заметной ___________________,
поэтому для регистрации кратковременных световых импульсов они
не годятся.
     К основным параметрам фоторезисторов относятся: темновое
сопротивление, темновой ток, световой ток, фототок, интеграль-
ная чувствительность, рабочее напряжение и т.д.
     Темновое сопротивление (RТ) – сопротивление фоторезистора,
который ____________________. В этих условиях в цепи с фоторези-
стором под действием напряжения (U) источника электроэнергии соз-
дается небольшой ________________________:
                                   U
                              Iт =    .                          (2)
                                   Rт



                                45

Страницы