Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 79 стр.

UptoLike

Составители: 

79
приемника повсеместно используются фотодиоды. Причем в
приемном устройстве цифровых ВОСП применяются фотодиоды
двух типов: лавинные и
pin
-фотодиоды, в то время, как для
АВОСП нашли применение только
pin
-фотодиоды.
3.1 Физические основы работы полупроводникового фото-
приемника
Приемник оптического излучения (фотоприемник) предна-
значен для обнаружения электромагнитного излучения оптическо-
го диапазона и осуществляет преобразование энергии света в дру-
гие виды, в частности, в электрический сигнал. В зависимости от
физических явлений, положенных в основу принципа действия, все
фотоприемники делятся на три группы: фотоэлектрические, фото-
электронные и тепловые [11]. Из этих групп в ВОСП нашли при-
менение только фотоэлектрические приборы. Фотоэлектрические
полупроводниковые приемники излучения основаны на использо-
вании явления внутреннего фотоэффекта, открытого У. Смитом
еще в 1873 г., и полупроводниковой технологии.
Внутренний фотоэффект представляет собой процесс обра-
зования внутри вещества (для ВОСП мы будем рассматривать
только полупроводники) свободных носителей заряда при воз-
действии оптического излучения. Среди процессов, возникающих
в полупроводнике под действием света, к фотоэффекту имеет от-
ношение лишь поглощение фотонов при непосредственном воз-
буждении атомов кристаллической решетки полупроводника.
Этот эффект приводит к появлению в полупроводнике дополни-
тельных носителей заряда так называемых фотоэлектронов.
Фотоэффект проявляется в электронных переходах двух типов:
собственных и примесных [13].
При собственном переходе возникает явление собственной
проводимости полупроводника, сопровождающееся увеличением
концентрации свободных носителей: электронов и дырок. Усло-
вие возникновения собственной проводимости под действием
света вытекает из уже известной нам формулы Планка:
g
h E
ν
(44)
                              79

приемника повсеместно используются фотодиоды. Причем в
приемном устройстве цифровых ВОСП применяются фотодиоды
двух типов: лавинные и pin-фотодиоды, в то время, как для
АВОСП нашли применение только pin-фотодиоды.

 3.1 Физические основы работы полупроводникового фото-
                      приемника

     Приемник оптического излучения (фотоприемник) предна-
значен для обнаружения электромагнитного излучения оптическо-
го диапазона и осуществляет преобразование энергии света в дру-
гие виды, в частности, в электрический сигнал. В зависимости от
физических явлений, положенных в основу принципа действия, все
фотоприемники делятся на три группы: фотоэлектрические, фото-
электронные и тепловые [11]. Из этих групп в ВОСП нашли при-
менение только фотоэлектрические приборы. Фотоэлектрические
полупроводниковые приемники излучения основаны на использо-
вании явления внутреннего фотоэффекта, открытого У. Смитом
еще в 1873 г., и полупроводниковой технологии.
     Внутренний фотоэффект представляет собой процесс обра-
зования внутри вещества (для ВОСП мы будем рассматривать
только полупроводники) свободных носителей заряда при воз-
действии оптического излучения. Среди процессов, возникающих
в полупроводнике под действием света, к фотоэффекту имеет от-
ношение лишь поглощение фотонов при непосредственном воз-
буждении атомов кристаллической решетки полупроводника.
Этот эффект приводит к появлению в полупроводнике дополни-
тельных носителей заряда – так называемых фотоэлектронов.
Фотоэффект проявляется в электронных переходах двух типов:
собственных и примесных [13].
     При собственном переходе возникает явление собственной
проводимости полупроводника, сопровождающееся увеличением
концентрации свободных носителей: электронов и дырок. Усло-
вие возникновения собственной проводимости под действием
света вытекает из уже известной нам формулы Планка:
                             hν ≥ Eg                       (44)