ВУЗ:
Составители:
81
ния.  Равенство  (44)  определяет  длинноволновую  («красную») 
границу фотоэффекта: 
max
/ 1,24/
g g
ch E E
λ
= =
  (46) 
Спектральные характеристики коэффициента поглощения (а 
также так называемого обратного коэффициента поглощения 1/α) 
для  широко  используемых  в  фотоприемниках  полупроводнико-
вых материалов приведены на рис. 46 [13].  
Рис. 46. Спектральные зависимости коэффициента поглощения α 
и обратного коэффициента поглощения (1/α) для применяемых в 
фотоприемниках ВОСП полупроводниковых материалов: (i) – 
In
0,79
Ga
0,21
As
0,45
P
0,55
; (ii) – In
0,88
Ga
0,12
As
0,25
P
0,75
Как следует из рисунка, общим свойством всех материалов 
является  эффект  резкого  увеличения  коэффициента  поглощения 
вблизи границы, определяемой (46). А именно, крутизна характе-
                               81
ния. Равенство (44) определяет длинноволновую («красную»)
границу фотоэффекта:
                    λmax = ch / Eg = 1, 24 / Eg         (46)
     Спектральные характеристики коэффициента поглощения (а
также так называемого обратного коэффициента поглощения 1/α)
для широко используемых в фотоприемниках полупроводнико-
вых материалов приведены на рис. 46 [13].
Рис. 46. Спектральные зависимости коэффициента поглощения α
и обратного коэффициента поглощения (1/α) для применяемых в
 фотоприемниках ВОСП полупроводниковых материалов: (i) –
          In0,79Ga0,21As0,45P0,55; (ii) – In0,88Ga0,12As0,25P0,75
     Как следует из рисунка, общим свойством всех материалов
является эффект резкого увеличения коэффициента поглощения
вблизи границы, определяемой (46). А именно, крутизна характе-
Страницы
- « первая
 - ‹ предыдущая
 - …
 - 79
 - 80
 - 81
 - 82
 - 83
 - …
 - следующая ›
 - последняя »
 
