ВУЗ:
Составители:
81
ния. Равенство (44) определяет длинноволновую («красную»)
границу фотоэффекта:
max
/ 1,24/
g g
ch E E
λ
= =
(46)
Спектральные характеристики коэффициента поглощения (а
также так называемого обратного коэффициента поглощения 1/α)
для широко используемых в фотоприемниках полупроводнико-
вых материалов приведены на рис. 46 [13].
Рис. 46. Спектральные зависимости коэффициента поглощения α
и обратного коэффициента поглощения (1/α) для применяемых в
фотоприемниках ВОСП полупроводниковых материалов: (i) –
In
0,79
Ga
0,21
As
0,45
P
0,55
; (ii) – In
0,88
Ga
0,12
As
0,25
P
0,75
Как следует из рисунка, общим свойством всех материалов
является эффект резкого увеличения коэффициента поглощения
вблизи границы, определяемой (46). А именно, крутизна характе-
81
ния. Равенство (44) определяет длинноволновую («красную»)
границу фотоэффекта:
λmax = ch / Eg = 1, 24 / Eg (46)
Спектральные характеристики коэффициента поглощения (а
также так называемого обратного коэффициента поглощения 1/α)
для широко используемых в фотоприемниках полупроводнико-
вых материалов приведены на рис. 46 [13].
Рис. 46. Спектральные зависимости коэффициента поглощения α
и обратного коэффициента поглощения (1/α) для применяемых в
фотоприемниках ВОСП полупроводниковых материалов: (i) –
In0,79Ga0,21As0,45P0,55; (ii) – In0,88Ga0,12As0,25P0,75
Как следует из рисунка, общим свойством всех материалов
является эффект резкого увеличения коэффициента поглощения
вблизи границы, определяемой (46). А именно, крутизна характе-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 79
- 80
- 81
- 82
- 83
- …
- следующая ›
- последняя »
