Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 80 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

80
где
h
- постоянная Планка; ν - частота оптического излучения; Е
g
- ширина запрещенной зоны полупроводника. Напомню, что про-
изведение
h
ν характеризует энергию фотона.
При выполнении этого условия вблизи границы поглоще-
ния, соответствующей равенству (44), зависимость коэффициента
поглощения α от энергии фотона для так называемых прямозон-
ных полупроводников соответствует [13]:
1
2
( )
g
A h E
α ν
= −
(45)
где: А – константа.
Энергетическая модель перехода электронов под действием
света из валентной зоны E
v
в зону проводимости E
с
для собствен-
ных и примесных полупроводников показана на рис. 45.
Рис. 45. Энергетическая модель фотопереходов электронов
в полупроводнике: 1 – собственный переход; 2-3 – примесный
переход; Е
л
– уровень ловушки.
Отмечу, что здесь, как и в полупроводниковых лазерах, для
повышения вероятности перехода электронов (т.е. повышения
квантовой эффективности) запрещенную зону сужают путем вве-
дения примесей. Модель примесного перехода также показана на
рис. 45, где Е
л
– уровень ловушки, создаваемой за счет легирова-
                               80

где h - постоянная Планка; ν - частота оптического излучения; Еg
- ширина запрещенной зоны полупроводника. Напомню, что про-
изведение hν характеризует энергию фотона.
     При выполнении этого условия вблизи границы поглоще-
ния, соответствующей равенству (44), зависимость коэффициента
поглощения α от энергии фотона для так называемых прямозон-
ных полупроводников соответствует [13]:
                                          1
                        α = A(hν − Eg )       2
                                                            (45)
где: А – константа.
      Энергетическая модель перехода электронов под действием
света из валентной зоны Ev в зону проводимости Eс для собствен-
ных и примесных полупроводников показана на рис. 45.




   Рис. 45. Энергетическая модель фотопереходов электронов
 в полупроводнике: 1 – собственный переход; 2-3 – примесный
                 переход; Ел – уровень ловушки.

     Отмечу, что здесь, как и в полупроводниковых лазерах, для
повышения вероятности перехода электронов (т.е. повышения
квантовой эффективности) запрещенную зону сужают путем вве-
дения примесей. Модель примесного перехода также показана на
рис. 45, где Ел – уровень ловушки, создаваемой за счет легирова-

Страницы