Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 69 стр.

UptoLike

Составители: 

50
1 2 3 4
5,2
5,4
5,6
5,8
6,0
6,2
6,4
6,6
6,8
7,0
7,2
7,4
7,6
7,8
8,0
1,1219
1,1341
1,1458
1,1572
1,1681
1,1787
1,1889
1,1988
1,2084
1,2177
1,2268
1,2356
1,2442
1,2525
1,2606
0,7985
0,8109
0,8229
0,8345
0,8456
0,8564
0,8668
0,8769
0,8866
0,8961
0,9053
0,9142
0,9229
0,9314
0,9396
0,4026
0,4134
0,4239
0,4341
0,4439
0,4536
0,4629
0,4720
0,4808
0,4894
0,4978
0,5060
0,5140
0,5218
0,5295
горизонтальной прямой y = l/h с кривыми S
0
(d/h) и S
2
(d/h). Равновесный
диаметр ЦМД определяется правой точкой пересечения прямой
у=l/h+(d/h)(H/M) с кривой F(d/h) (левая точка пересечения соответствует
неустойчивому решению). Нижняя граница интервала ус тойчивости кругового
ЦМД по полю подмагничивания определяется эллиптической неустойчивостью
(Н = Н
2
), верхняя граница соответствует коллапсу (Н = Н
0
).
Напряженности Н
0
, Н
2
при определенном М определяются из уравнения
(4.4).