Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 70 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 4.7. Графическое определение диаметра ЦМД d и критических пара-

метров

, d

, H

при различных полях H

4.5. Запись, стирание и считывание информации

в ЦМД – микросхемах

ЦМД кристалл включает нанесенную на немагнитную подложку пленку

МПФГ с размещенными на ее поверхности или в приповерхностном слое

функциональными узлами: генераторами, переключателями, детекторами, на-

копительными регистрами и др. ЦМД кристалл является главным компонентом

ЦМД–микросхемы.

Как отмечалось выше (рис 4.1), в магнитном

поле с постоянным градиен-

том управлять ЦМД невозможно, поскольку длина его пробега до превращения

в полосовой домен обычно не превышает 100 мкм. Это мало по сравнению с

линейным размером ЦМД–кристалла порядка 1 см.

Поэ тому управление ЦМД осуществляют посредством

магнитостати-

ческих ловушек

(МСЛ), позволяющих сохранять форму ЦМД при перемеще-